| 摘要 |
<P>L'invention concerne un proc ed e de formation de la zone de collecteur d'un transistor bipolaire sur un substrat semiconducteur (11), comportant les etapes suivantes :a) former une tranch ee isolante (12) d elimitant une r egion active (14),b) graver s electivement le mat eriau semiconducteur de la r egion active,c) r ealiser une epitaxie s elective du mat eriau semi-conducteur, etd) r ealiser, au cours de l' etape c), un dopage du mat eriau epitaxi e (18), ce dopage etant modifi e au cours de la croissance de mat eriau epitaxi e.</P>
|
