| 摘要 |
Die Erfindung beschreibt eine Schaltungsanordnung mit geringen parasitären Induktivitäten, bestehend aus einem keramischen Substrat mit darauf befindlichen gegeneinander isolierten metallischen Verbindungsbahnen darauf befindlichen ersten und zweiten in Reihe geschalteten Leistungsschaltern, bestehend jeweils aus mehreren parallel geschalteten ersten (13) und zweiten Leistungstransistoren (19) sowie Gleich- und Wechselstromanschlussleitern, das in seiner Ausführung auch für Druckkontaktaufbauten geeignet ist. DOLLAR A Die Strom leitenden Stege (23) des Plus- (12), des Minus- (10) sowie des Wechselstromanschlussleiters (11) sind zwischen den ersten und zweiten Leistungstransistoren derart angeordnet, dass sie bis auf die Subtratebene hinabreichen und durch diese nur durch eine Isolationsschicht getrennt sind. Dadurch wird eine Minimierung der stromumflossenen Flächen und damit der parasitären Induktivitäten der Schaltungsanordnung. DOLLAR A Die Summe der parasitären Induktivitäten dieses Halbleiterleistungsmoduls sowohl im Bereich der Anschlussleitungen sowie im Bereich des Subtrates erreichen eine Größenordnung von 1 nH oder kleiner. |
