Verfahren zur Erzeugung analog zueinander aufgebauter Chips, die jeweils ein erstes Halbleiterbauelement, das eine Schicht mit einer definierten elektrischen Polarisation aufweist, aufweisen

摘要

Verfahren zur Erzeugung analog zueinander aufgebauter Chips, die jeweils ein erstes Halbleiterbauelement, das eine Schicht mit einer definierten elektrischen Polarisation aufweist, aufweisen. DOLLAR A Die Chips (C) werden auf einem Wafer (W) erzeugt. Pro Chip (C) wird mindestens ein zweites Halbleiterbauelement erzeugt. Die Schichten (S) der ersten Halbleiterbauelemente werden so erzeugt, daß sie zunächst nicht ihre volle Polarisation aufweisen. Es werden temporäre Leiterbahnen (TL) derart erzeugt, daß jede Schicht (S) zwischen zwei der temporären Leiterbahnen (TL) geschaltet ist und daß jede temporäre Leiterbahn (TL) mit Unterseiten oder Oberseiten der Schichten (S) mehrerer der Chips (C) verbunden ist. Die Schichten (S) werden gepolt, indem Spannungen an die temporären Leiterbahnen (TL) angelegt werden. Anschließend werden die temporären Leiterbahnen (TL) zumindest abschnittsweise entfernt. Zum Verschalten der ersten mit den zweiten Halbleiterbauelementen werden Leiterbahnen (L) einer Metallisierung der Chips (C) erzeugt. Die Chips (C) werden nach deren Fertigstellung vereinzelt.