| 发明名称 | 栅极偏置结构 | ||
| 摘要 | 为了消除功率晶体管(1)的静态电流的温度依赖性,借助于和功率晶体管在同一个硅芯片上的偏置晶体管的输出电压控制功率晶体管的栅极偏压,并且使偏置晶体管的栅极和漏极互连,并由外部电路对其提供恒定电流(IB)。 | ||
| 申请公布号 | CN1333944A | 申请公布日期 | 2002.01.30 |
| 申请号 | CN99815824.0 | 申请日期 | 1999.12.30 |
| 申请人 | 艾利森电话股份有限公司 | 发明人 | P·艾利松;N·阿菲肯斯塔姆;J·约翰松;H·舍登 |
| 分类号 | H03F1/30 | 主分类号 | H03F1/30 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈霁;陈景峻 |
| 主权项 | 1.一种用于RF功率LDMOS晶体管(1)的栅极偏置结构，用于温度补偿其静态电流(IDQ)，其特征在于，偏置LDMOS晶体管(3)具有互连的栅极(G3)和漏极(D3)，并通过RF隔离元件(L，R)使所述互连的栅极和漏极和功率LDMOS晶体管(1)的栅极(G)相连，并使其源极(S3)和功率LDMOS晶体管(1)的源极(S)相连，偏置LDMOS晶体管(3)的互连的栅极和漏极适用于被供给恒定偏流(IB)，借以使静态电流(IDQ)和温度的变化无关。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩 | ||