发明名称 存储器
摘要 本发明的课题是提供既可迅速地进行使记忆内容反转的写入、又可减少不需要的功耗的存储器。晶体管MN9、MN10串联连接在节点N1与写入位线41之间。晶体管MN9、MN10的栅分别与写入控制线44和写入字线31连接。写入控制线44供给与写入位线41、互补写入位线42的“异或”运算值相当的电位。通过预先将写入工作中不使用的写入位线41、互补写入位线42预充电为相同的电位,晶体管MN9关断。
申请公布号 CN1333564A 申请公布日期 2002.01.30
申请号 CN01112235.8 申请日期 2001.03.30
申请人 三菱电机株式会社 发明人 国清辰也
分类号 H01L27/11;H01L21/8244;G11C11/4197 主分类号 H01L27/11
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;叶恺东
主权项 1.一种存储器,其特征在于:具备:多个(a)字线组<30>;多个(b)位线组<40>;以及多个与一个上述字线组<30>和一个上述位线组<40>对应地被设置的(c)存储单元<MC>,上述(a)字线组<30>分别具有(a-1)写入字线<31>,上述(b)位线组分别具有:(b-1)写入位线<41>;以及(b-2)与上述写入位线<41>对应地被设置的写入控制线<44>,上述(c)存储单元<MC>分别具有:(c-1)包含第1存储节点<N1>的记忆单元<SC>;以及(c-2)只在对应的上述一个位线组<40>的上述写入位线<41>、连接在与上述第1存储节点之间的对应的上述一个上述字线组<30>的上述写入字线<31>和上述写入控制线<44>都激活了的情况下导通的第1开关<MN9,MN10>,被选择了的上述位线组<40>中的上述写入控制线<44>激活,不被选择的上述位线组<40>中的上述写入控制线<44>不激活。
地址 日本东京都