发明名称 | 双端口管道两级高速缓冲存储器系统 | ||
摘要 | 提供了提高处理器性能的新颖的芯片上高速缓冲存储器及操作方法。该芯片上高速缓冲存储器有两级。第一级是为低等待时间优化的而第二级是为容量优化的。两级高速缓存是流水作业的并能支持同时双端口存取。在第一与第二级高速缓存之间设置了排队结构,用于从较慢的第二级高速缓存上分离较快的第一级高速缓存。排队结构也是双端口的。两级高速缓存都支持不阻塞的操作。当在一级高速缓存上高速缓存不命中时,两个高速缓存都能继续处理其它高速缓存命中与不命中。第一级高速缓存是为整数数据优化的。第二级高速缓存能存储包含浮点在内的任何数据类型。本发明的新颖两级高速缓存系统提供强调吞吐量的高性能。 | ||
申请公布号 | CN1333906A | 申请公布日期 | 2002.01.30 |
申请号 | CN99815362.1 | 申请日期 | 1999.12.29 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 傅伟昌;D·A·穆拉;G·S·马修斯;S·E·塞勒 |
分类号 | G08B5/22;H04B7/00 | 主分类号 | G08B5/22 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;王忠忠 |
主权项 | 1.一种高速缓冲存储器,包括:具有第一地址端口与第二地址端口的第一级高速缓存;具有第一地址端口与第二地址端口的第二级高速缓存;以及耦合在第一级高速缓存与第二级高速缓存之间的排队结构。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |