SOI基片及其制造方法

摘要

本发明提供了一种硅器件层均匀的ＳＯＩ基片及其制造方法，该ＳＯＩ基片包括，硅支承晶片，在支承晶片上部形成的掺杂杂质的氧化膜，在所述掺杂杂质的氧化膜上部形成的、具有均匀厚度的硅器件层，在所述掺杂杂质的氧化膜上部形成的、防止掺杂杂质的氧化膜内的杂质扩散的扩散阻挡膜。$#!

主权项

1、一种SOI基片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：制备支承晶片和器件用硅晶片；在所述器件用硅晶片上部形成扩散阻挡膜；在扩散阻挡膜上部形成掺杂第一杂质的氧化膜；在所述支承晶片上部形成掺杂第二杂质的氧化膜；在预定的温度使第一掺杂的氧化膜与第二掺杂的氧化膜表面接触，从而使所述支承晶片与器件用硅晶片接合；将所述器件用硅晶片除去一定厚度，形成具有均匀厚度及平坦表面的硅器件层。