| 发明名称 | 化学机械抛光用淤浆及其形成方法和半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | CMP用淤浆,它具有:液体;包含于此液体中的多种研磨粒子,此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子,而此有机与无机粒子则通过热结合一体化。 | ||
| 申请公布号 | CN1333319A | 申请公布日期 | 2002.01.30 |
| 申请号 | CN01122494.0 | 申请日期 | 2001.07.13 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 松井之辉;南幅学;矢野博之;福岛大 |
| 分类号 | C09K3/14;C08J5/14;H01L21/302 | 主分类号 | C09K3/14 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.CMP用淤浆，它包括：液体；包含于此液体中的多种研磨粒子，此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子，而所述有机粒子与无机粒子通过热结合而一体化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||