| 发明名称 | 用于半导体处理室的室衬 | ||
| 摘要 | 公开了一种应用于半导体处理室的室衬和一种含有该室衬的半导体处理室。处理室含有外壳,该外壳具有构成室的内表面,在处理半导体晶片期间,该室被抽成真空。室衬(116)含有具有多个孔隙(116e)的等离子约束屏(116c)。外侧壁(116b)从等离子约束屏(116c)向上延伸。外法兰(116a)从外侧壁(116b)向外延伸使得外法兰(116a)延伸至室外并伸入大气压力下的空间。室衬(116)最好还含有从等离子约束屏(116c)向上延伸的内侧壁(116d)。等离子约束屏(116c)、内及外侧壁(分别为116d及116b)和外法兰(116a)最好互相联成一整体。 | ||
| 申请公布号 | CN1333917A | 申请公布日期 | 2002.01.30 |
| 申请号 | CN99815472.5 | 申请日期 | 1999.09.28 |
| 申请人 | 拉姆研究公司 | 发明人 | 阿兰·M·舍佩尔;小威廉·M·邓蒂;迈克尔·巴恩斯 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 马娅佳;穆魁良 |
| 主权项 | 1、一种用于半导体制造的处理室，其特征在于，含有：一具有内表面的外壳，该内表面构成一个室，在半导体晶片处理期间，该室被抽真空；一具有带多个孔隙的等离子约束屏的室衬，外侧壁从所述等离子约束屏向上延伸，而外法兰从所述外侧壁向外延伸，所述外法兰延伸至所述室外并伸入大气压力下的空间。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||