| 发明名称 | 硅锗射频功率晶体管发射极分配方法和系统 | ||
| 摘要 | 一种功率晶体管包括多个发射极区(421)和多个基极接触(423)。为了降低基极电阻,多个发射极区(421)的每一个与至少四个基极接触(423)相邻。整个晶体管包括许多发射极区(421),举例来说大于或等于大约1000个,没有上限,其中发射极区(421)的实际数量取决于需要的载流容量。发射极区(421)经由通孔或金属接触柱(421)被直接并联连接到晶体管的高载流金属层。发射极区(421)的尺寸应该被制成工艺设计规则允许的那样小,以便能够提高发射极区(421)的周长对面积的比率,对于给定的电流,这样可以降低峰值电流密度。 | ||
| 申请公布号 | CN1333922A | 申请公布日期 | 2002.01.30 |
| 申请号 | CN99815558.6 | 申请日期 | 1999.11.10 |
| 申请人 | 艾利森电话股份有限公司 | 发明人 | P·O·布兰德特;L·蒂利 |
| 分类号 | H01L29/73 | 主分类号 | H01L29/73 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种功率晶体管，包含：并联连接的多个发射极区；多个基极接触；其中所述多个发射极区的每一个与至少四个基极接触相邻。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩 | ||