Superjunction-Halbleiterbauteil sowie Verfahren zu seiner Herstellung

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung eines Superjunction-Halbleiterbauteils umfaßt die Schritte der Ausbildung von mit Abstand voneinander angeordneten parallelen Gräben in einer Silizium-Halbleiterscheibe eines ersten Leitungstyps, wobei sich jeder der Gräben senkrecht zur oberen Oberfläche der Silizium-Halbleiterscheibe erstreckt und jeder der Gräben annähernd die gleiche Tiefe und den gleichen Querschnitt aufweist, des Lenkens eines Implantationsstrahls einer Spezies, die einen zweiten Leitungstyp bildet, in Richtung auf die Oberfläche der Silizium-Halbleiterscheibe und unter einem Winkel zu den Achsen jedes der Gräben, wobei der Winkel ausreichend klein ist, damit die volle Länge der Innenoberfläche jeder der Zellen implantierte Ionen von der Implantationsquelle empfängt, und des Drehens der Halbleiterscheibe, um die volle Oberfläche des Inneren jedes der Gräben mit dem Implantationsstrahl zu beaufschlagen.