发明名称 Integrierter Speicher mit Speicherzellen mit magnetoresistivem Speichereffekt und Verfahren zum Betrieb eines solchen Speichers
摘要 Ein integrierter Speicher weist Speicherzellen (MC) mit magnetoresistivem Speichereffekt auf, die jeweils zwischen Spaltenleitungen (BL0 bis BLn) und Zeilenleitungen (WL0 bis WLm) geschaltet sind. Eine der Zeilenleitungen (WL2) ist zum Auslesen eines Datensignals (DA) einer mit der Zeilenleitung (WL2) verbundenen Speicherzelle (MC2) in einer Auswahlschaltung (2) mit einem Anschluß für ein Auswahlsignal (GND) verbunden. Die anderen Zeilenleitungen (WL0, WL1, WLm) werden derart angesteuert, daß sie zum Auslesen des Datensignals (DA) in der Auswahlschaltung (2) elektrisch isoliert sind. Dadurch ist ein vergleichsweise zuverlässiger Auslesevorgang ermöglicht.
申请公布号 DE10032275(A1) 申请公布日期 2002.01.24
申请号 DE20001032275 申请日期 2000.07.03
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 POECHMUELLER, PETER
分类号 G11C11/14;G11C11/15;G11C11/16;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/105;H01L43/08;(IPC1-7):G11C11/14 主分类号 G11C11/14
代理机构 代理人
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