摘要 |
Ein integrierter Speicher weist Speicherzellen (MC) mit magnetoresistivem Speichereffekt auf, die jeweils zwischen Spaltenleitungen (BL0 bis BLn) und Zeilenleitungen (WL0 bis WLm) geschaltet sind. Eine der Zeilenleitungen (WL2) ist zum Auslesen eines Datensignals (DA) einer mit der Zeilenleitung (WL2) verbundenen Speicherzelle (MC2) in einer Auswahlschaltung (2) mit einem Anschluß für ein Auswahlsignal (GND) verbunden. Die anderen Zeilenleitungen (WL0, WL1, WLm) werden derart angesteuert, daß sie zum Auslesen des Datensignals (DA) in der Auswahlschaltung (2) elektrisch isoliert sind. Dadurch ist ein vergleichsweise zuverlässiger Auslesevorgang ermöglicht.
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