发明名称 PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP AND IC CARD
摘要 기판(1a)에 복수의 회로소자(41)을 일체로 만들어넣는 공정과, 회로소자(41)과 도통하는 전극패드(11b)위에 전극범프(11)을 형성하는 공정과, 기판(1a)의 소정위치에 스크라이브 라인 또는 스크라이브 라인 마크(21a)를 형성하는 공정과, 각 전극범프(11) 및 스크라이브 라인 또는 스크라이브 라인 마크(21a)를 덮도록하여 이방성도전막(30)을 점착하는 공정을 포함한다. 가 전극범프(11)을 형성하는 공정과, 스크라이브 라인 또는 스크라이브 라인 마크(21a)를 형성하는 공정과는, 동시에 행하여진다. 전극범프(11) 및 스크라이브 라인 또는 스크라이브 라인 마크(21a)은, 바람직하게는 금으로 형성된다. 이와같은 제조방법으로, 복수의 회로소자가 형성된 반도체웨이퍼에, 이방성도전막을 점착한 경우에 있어서도, 소망하는대로 회로소자를 분획할 수가 있다.
申请公布号 KR100321399(B1) 申请公布日期 2002.01.24
申请号 KR19997002159 申请日期 1999.03.13
申请人 null, null 发明人 히라이미노루;우에다시게유키;미야타오사무;호리오도모하루
分类号 B42D15/10;H01L21/02;H01L21/301;H01L21/60;H01L23/498;H01L23/544 主分类号 B42D15/10
代理机构 代理人
主权项
地址