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<p>반도체 메모리 디바이스는 메모리 셀판 및 복수의 디코더를 포함한다. 메모리 셀판은 행렬로 배열된 복수의 메모리 셀을 포함한다. 복수의 디코더 각각은 적어도 2개의 MOS 트랜지스터의 직렬 연결부를 포함한다. 직렬 연결부의 2개 노드중 제 1 노드는, 복수의 열중 한 개와 관련되며 액티브 모드에서 액티브되지 않는 상태 신호에 연결된다. 또한, 게이트 제어 신호는 어드레스 신호의 일부를 프리디코드함으로써 생성되며 적어도 2개의 MOS 트랜지스터의 게이트에 각각 공급되고, 이때 복수의 행중 한 개는 직렬 연결된 제 2 노드의 전위에 의거하여 선택된다. 상태 신호는 비트라인 프리차지 신호일 수도 있다.</p> |
