首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Verfahren zur Herstellung Silicium Einkristall mit geringen Fehlstellen und dadurch hergestellte Silicium Einkristall und Silicium Scheiben
摘要
申请公布号 DE69802887(D1) 申请公布日期 2002.01.24
申请号 DE19986002887 申请日期 1998.10.01
申请人 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 发明人 IIDA, MAKOTO;IINO, EIICHI;KIMURA, MASANORI;MURAOKA, SHOZO
分类号 C30B15/20;C30B15/00;C30B15/14;C30B29/06;(IPC1-7):C30B15/00 主分类号 C30B15/20
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com