微波等离子体化学气相沉积合成晶相碳氮薄膜

摘要

本发明涉及用微波等离子体化学气相沉积法合成碳氮薄膜及装置。将基片经过预处理后，置于工作腔内，按一定比例通入工作气体，然后将微波通入工作腔内，使气体放电产生等离子体从而沉积薄膜。用这种方法合成的氮化碳薄膜均匀、致密，无杂质，成分和成键符合要求，膜中含有α、β和p相的C₃N₄。该方法工艺稳定、可靠，重复性好，适合工业化生产。$#!

主权项

1.一种微波等离子体化学气相沉积合成晶相碳氮薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1〕采用Si、SiO2、Pt、Ta、Mo或Ni半导体材料、绝缘材料或导电材料做基片，首先把基片经过化学清洗、抛光的预处理；(2〕把预处理好的基片放入本发明专用装置中的石英托上，石英托放入石英管内处于微波经过的中心位置上，封密好系统，抽真空使其真空度达3帕以上；(3〕然后通入工作气体到石英管内，其工作气体包括一部分为含碳气体，流量为0.2-5标准立方厘米/每分钟和一部分含氮气体，流量为20-100标准立方厘米/每分钟；(4〕调节石英管和真空泵之间的抽气阀通道的大小，使石英管内气压保持在15-30托，然后开启微波源，功率为750瓦，微波进入波导，经过环流器，四螺钉调配器再到达基片处，进入石英管中的微波功率保持在300-400W，电离工作气体，产生等离子体，在基片上沉积生长碳氮薄膜；(5〕电离工作气体产生等离子体时，基片的温度保持在700-950℃。