发明名称 放大器
摘要 公开了一种放大器,其中提供在第二和第三放大器2和3正相输入端的电压值符合第二P沟道MOS晶体管Tr3和第二N沟道MOS晶体管Tr4源极和漏极之间的电压,由第一运算放大器1的输出信号经第二和第三放大器2和3驱动构成供电缓冲器4的第一P沟道MOS晶体管Tr1和N沟道MOS晶体管Tr2,因此可以从低电源电压中提供不受电源电压控制的空载电流,可以提供一种在宽电源电压范围内具有小的交叉失真的输出信号并改进其温度依赖性。
申请公布号 CN1332518A 申请公布日期 2002.01.23
申请号 CN01117116.2 申请日期 2001.04.26
申请人 日本精密电路株式会社 发明人 渡边伸一
分类号 H03F3/26;H03F1/30 主分类号 H03F3/26
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王以平
主权项 1.一种放大器包括:一第一运算放大器,用于接收一输入信号;一功率缓冲器,连接第一P沟道MOS晶体管和第一N沟道MOS晶体管的各个漏极,在连接第一P沟道MOS晶体管和第一N沟道MOS晶体管的连接点提供一输出端;一第二P沟道MOS晶体管,具有与第一P沟道MOS晶体管的温度特性相同的温度特性;一第二N沟道MOS晶体管,具有与第一N沟道MOS晶体管的温度特性相同的温度特性;一第二运算放大器,用于根据第二P沟道MOS晶体管源极和漏极之间的电压在其正相输入端接收一电压、接收第一运算放大器在其负输入端的输出信号、产生构成电压波形电势中心的输出信号,该电势中心比第一P沟道MOS晶体管源极的电势低相应于第二P沟道MOS晶体管源极和漏极之间的电压量的电势、和由该输出信号驱动第一P沟道MOS晶体管;和一第三运算放大器,用于根据第二N沟道MOS晶体管源极和漏极之间的电压在其正输入端接收一电压、接收来自第一运算放大器在其负相输入端的输出信号、产生构成电压波形电势中心的输出信号,该电势中心比第一N沟道MOS晶体管源极的电势高相应于第二N沟道MOS晶体管源极和漏极之间的电压量、和由该输出信号驱动第一N沟道MOS晶体管。
地址 日本东京