| 发明名称 | 单晶GaN基体的制造方法和单晶GaN基体 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种贯通转位密度小,而且在基体表面中不存在转位束,不产生劈开面紊乱的GaN基体制造方法和GaN基体。对GaN单结晶锭,在与生长方向平行的面处进行切片加工制作基体,由于转位走向平行于表面,形成低转位密度。将其作为晶种生长GaN。 | ||
| 申请公布号 | CN1332480A | 申请公布日期 | 2002.01.23 |
| 申请号 | CN01122442.8 | 申请日期 | 2001.07.09 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 元木健作;笠井仁;冈久拓司 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L21/20;C30B29/40 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 范明娥 |
| 主权项 | 1.一种单晶GaN基体的制造方法，特征是，在与GaN单晶生长中的生长方向平行的面处进行切片加工。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||