| 发明名称 | 一种MFI型沸石晶体的择优定向生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种MFI沸石晶体择优定向生长的方法。MFI型沸石晶体呈现出择优取向大部分是在沸石膜的生长中才实现的,尚未见到有MFI型沸石晶体自行择优取向的文献报道。本发明用“双模板剂”法在Na<SUB>2</SUB>O－Na<SUB>2</SUB>O－模板剂R1(乌洛托品及其衍射物)－模板剂R2(正烷烃胺或羟化四丙基铵)－H<SUB>2</SUB>O体系中合成得到了b－轴择优取向的ZSM－5晶体。反应条件是按一定摩尔配比的上述反应物凝胶老化后,在150－200℃下水热晶化5－20天,结晶产物洗涤过滤烘干即可。经XRD和SEM表征,晶体的择优定向生长效果良好。 | ||
| 申请公布号 | CN1332114A | 申请公布日期 | 2002.01.23 |
| 申请号 | CN01113207.8 | 申请日期 | 2001.06.28 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 王喜庆;宋茂莹;龙英才 |
| 分类号 | C01B39/04 | 主分类号 | C01B39/04 |
| 代理机构 | 复旦大学专利事务所 | 代理人 | 姚静芳 |
| 主权项 | 1.一种MFI型沸石晶体的择优定向生长方法，用双模板剂水热合成，其特征是反应物无定形二氧化硅在微碱性条件下，与模板剂R1乌洛托品或其衍生物、模板剂R2正构烷基胺或羟化四丙基铵和水混合而成凝胶；凝胶老化后，在150-200℃下水热晶化5-20天，结晶产物经洗涤、过滤烘干即可，上述反应条件下反应物的摩尔配比是： SiO2/Al2O3 50-∞ OH-/SiO2 0-0.3 (R1＋R2)/SiO2 0.2-2.0 R1/R2 0.1-2 F-/SiO2 0-1 H2O/SiO2 30-100 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||