发明名称 | 纳米金刚石薄膜的制备装置 | ||
摘要 | 一种纳米金刚石薄膜的制备装置,主要适用于在硅基板上制备大面积均匀纳米金刚石薄膜。它包括带有进气口和抽气口的反应炉体,反应炉体内充有氢气和甲烷的混合气体,并置有相互平行置放的正极板和负极板,在正极板和负极板处分别置有热丝和基板。正与负极板之间连接有启辉器和电压调节器。当正负两极板之间的启辉器产生瞬间高压时,激活了反应炉体内的氢气和甲烷的混合气体,产生等离子体,调节正负两极板间的电压调节器,控制两极板之间的电流恒定,致使反应炉体内的等离子体活化区稳定。用本发明的制备装置生长出的纳米金刚石薄膜比在先技术生长的薄膜晶粒尺寸小、表面粗糙度小、内应力小、面积大而均匀。 | ||
申请公布号 | CN1332268A | 申请公布日期 | 2002.01.23 |
申请号 | CN01126358.X | 申请日期 | 2001.07.27 |
申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 龚辉;范正修 |
分类号 | C23C16/27;C23C16/50 | 主分类号 | C23C16/27 |
代理机构 | 上海华东专利事务所 | 代理人 | 李兰英 |
主权项 | 1.一种纳米金刚石薄膜的制备装置,包括:带有进气口(4)和抽气口(10)的反应炉体(3),反应炉体(3)内充有氢气和甲烷的混合气体(9),并置有热丝(1)和基板(8);其特征是:反应炉体(3)内置有相互平行置放的正极板(2)和负极板(7),热丝(1)和基板(8)相对分别置于正极板(2)和负极板(7)处,正极板(2)和负极板(7)之间连接有启辉器(6)和电压调节器(5)。 | ||
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