| 发明名称 | 铁电晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 铁电晶体管在半导体衬底(1)中具有两个源/漏区(2)和一个安置在其间的沟道区(3)。在沟道区(3)的表面上安置了一个金属中间层(4),中间层与半导体衬底(1)形成肖特基二极管,并且在中间层表面上安置了铁电层(5)和栅极(6)。铁电晶体管的制造用硅工艺技术的步骤实现。 | ||
| 申请公布号 | CN1332889A | 申请公布日期 | 2002.01.23 |
| 申请号 | CN99812986.0 | 申请日期 | 1999.11.03 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | T·P·哈尼德尔;J·维勒;G·布劳恩;T·施莱泽尔 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/51 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;张志醒 |
| 主权项 | 1.铁电晶体管，-其中，在半导体衬底(1)中设置两个源/漏区(2)和一个安置在其间的沟道区(3)，-其中，在沟道区(3)的表面上安置了一个金属中间层(4)，它与半导体衬底(1)形成一个肖特基二极管，-其中，在金属中间层(4)的表面上安置了铁电层(5)，-其中，在铁电层(5)表面上安置了栅极(6)。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||