发明名称 MRAM memory device
摘要 <p>Die Erfindung betrifft eine MRAM-Anordnung, bei der Leitungstreiberschaltungen (6, 7) jeweils über Verbindungsknoten (4, 5) zwei Speicherzellenfeldern (1, 2 bzw. 2, 3) zugeordnet sind, so daß die Fläche für die Treiberschaltungen praktisch halbiert werden kann. &lt;IMAGE&gt;</p>
申请公布号 EP1174882(A1) 申请公布日期 2002.01.23
申请号 EP20010113927 申请日期 2001.06.07
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BOEHM, THOMAS;KANDOLF, HELMUT;LAMMERS, STEFAN
分类号 G11C11/14;G11C11/15;G11C11/16;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/105;H01L43/08;(IPC1-7):G11C11/16 主分类号 G11C11/14
代理机构 代理人
主权项
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