| 摘要 |
<p>L'invention concerne un film conducteur transparent à l'ultraviolet caractérisé en ce qu'il comprend un cristal Ga2O3, étant transparent lorsqu'il est soumis à une longueur d'onde comprise entre 240 et 800 nm ou entre 240 et 400 nm, et possédant une conductivité occasionnée par un manque d'oxygène ou d'élément dopant. Cet élément dopant comprend au moins un élément choisi dans le groupe constitué d'étain, de germanium, de silicium, de titane, de zirconium, d'hafnium, de vanadium, de tantale, de chrome, de molybdène et de tungstène. Le film conducteur est produit au moyen d'un des procédés suivants : un procédé de dépôt de vapeur impulsion/laser, un procédé de pulvérisation cathodique, un procédé CVD, et un procédé d'épitaxie par faisceaux moléculaires ; à une température de substrat comprise entre 600 et 1500 °C et à une pression d'oxygène comprise entre 0 et 1 Pa.</p> |
