| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Gateelektrode für eine EEPROM-Halbleitervorrichtung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19518133(C2) |
申请公布日期 |
2002.01.17 |
| 申请号 |
DE19951018133 |
申请日期 |
1995.05.17 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
CHO, BYUNG JIN |
| 分类号 |
H01L29/43;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/824;H01L21/283 |
主分类号 |
H01L29/43 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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