SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MAKING THEREOF
摘要
<p>본 발명에서는, LDD구조를 갖춘 MOS트랜지스터에 있어서, 게이트간의 간격이 좁은 영역에는 코발트 실리사이드막을 형성시키지 않고, 게이트간의 간격이 넓은 영역에는 코발트 실리사이드막을 형성한다. 따라서, 게이트간의 간격이 좁은 영역에서는 규화금속화합물의 영향으로 발생하는 PN접합 누설전류를 억제할 수 있고, 게이트간의 간격이 넓은 영역에서는 신호처리의 고속성을 확보할 수 있다.</p>
