| 摘要 |
<p>본 발명에서 제안된 사이리스터 소자의 제조방법을 개시한다. 이에 의하면, P형 베이스영역에 확산계수가 작은 불순물을 이온주입하고, P+형 소자격리영역에 확산계수가 큰 불순물을 데포지션(deposition)한 후 이들을 동시에 확산하여 접합깊이가 깊은 P+형 소자격리영역과 접합깊이가 이보다 얕은 P형 베이스영역을 형성한다. 따라서, 본 발명은 소자격리영역의 형성을 위한 고온 확산공정에 소요되는 시간을 단축하여 생산성을 향상하고 아울러 반도체기판의 결함 발생을 줄여 소자의 특성을 향상할 수 있다.</p> |
