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发明名称 Triac Device
摘要 <p>본 발명은 트라이악 소자를 개시한다. 이에 의하면, n형 반도체기판에 역병렬 연결된 제 1, 2 사이리스터를 형성하되, 제 1 사이리스터의 p형의 제 2 베이스영역에 p+형 영역을 추가로 형성한다. 따라서, 본 발명은 제 1 사이리스터의 p형 베이스영역에서의 낮은 정공주입효율을 제 2 사이리스터의 정공주입효율과 동일한 수준으로 높여 제 4 상한 동작모드의 트리거 특성을 향상하고 VTM1 특성 저하를 방지한다.</p>
申请公布号 KR100320675(B1) 申请公布日期 2002.01.17
申请号 KR19990018810 申请日期 1999.05.25
申请人 null, null 发明人 이종홍;정종원
分类号 H01L21/332 主分类号 H01L21/332
代理机构 代理人
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