| 摘要 |
<p>본 발명은 웰 이온주입에 따른 기판의 격자손상에 기인하는 실리콘 인터스티셜 및 TED(Transient Enhanced Diffusion)등을 억제하여 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 모스팻 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 반도체 기판에 소자 격리영역을 형성하는 공정과, 액티브 영역의 기판내에 이온주입을 실시하여 웰 영역을 형성하는 공정과, 상기 웰 영역내 소정깊이에 확산방지층을 형성한 후, 상기 웰 영역의 기판상에 게이트 절연막을 개재하여 게이트 전극을 형성하는 공정과, 게이트 재산화 공정을 실시한 후, LDD 이온주입을 실시하는 공정과, 게이트 전극 양측면에 절연측벽을 형성한 후, 고농도 이온주입을 통해 상기 기판과 반대도전형의 소오스/드레인 불순물 영역을 형성하는 공정과, 상기 소오스/드레인 불순물 영역과 상기 이온확산층의 사이에 할로 이온주입을 통해 할로 영역을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진다.</p> |
