发明名称 一种沉积高质量薄膜低温等离子体装置
摘要 本实用新型涉及一种沉积高质量薄膜低温等离子体装置,包括阴极弧等离子体源、真空靶室,阴极弧等离子体源与真空靶室之间通过磁螺旋管相连,在磁螺旋管内设有螺旋线圈,在磁螺旋管外设有磁场;本实用新型可过滤阴极弧等离子体中的颗粒团和中性大粒子,仅留下质量和能量相对均匀的纯离子,并减少了等离子体的损失,使沉积形成的薄膜表面光滑,缺陷少,沉积温度低,与衬底结合良好,质量高并容易控制,并可在室温下制备出质量优异的薄膜材料。
申请公布号 CN2471791Y 申请公布日期 2002.01.16
申请号 CN01213157.1 申请日期 2001.03.29
申请人 阎鹏勋;王健民 发明人 阎鹏勋
分类号 C23C14/48 主分类号 C23C14/48
代理机构 中国科学院兰州专利事务所 代理人 王玉双
主权项 1、一种沉积高质量薄膜低温等离子体装置,包括阴极弧等离子体源(1)、真空靶室(5),其特征在于连接阴极弧等离子体源(1)与真空靶室(5)的导管为磁螺旋管(2),在磁螺旋管(2)内设有螺旋线圈(3),在磁螺旋管(2)外设有磁场(4)。
地址 730000甘肃省兰州市天水路298号