发明名称 | 一种沉积高质量薄膜低温等离子体装置 | ||
摘要 | 本实用新型涉及一种沉积高质量薄膜低温等离子体装置,包括阴极弧等离子体源、真空靶室,阴极弧等离子体源与真空靶室之间通过磁螺旋管相连,在磁螺旋管内设有螺旋线圈,在磁螺旋管外设有磁场;本实用新型可过滤阴极弧等离子体中的颗粒团和中性大粒子,仅留下质量和能量相对均匀的纯离子,并减少了等离子体的损失,使沉积形成的薄膜表面光滑,缺陷少,沉积温度低,与衬底结合良好,质量高并容易控制,并可在室温下制备出质量优异的薄膜材料。 | ||
申请公布号 | CN2471791Y | 申请公布日期 | 2002.01.16 |
申请号 | CN01213157.1 | 申请日期 | 2001.03.29 |
申请人 | 阎鹏勋;王健民 | 发明人 | 阎鹏勋 |
分类号 | C23C14/48 | 主分类号 | C23C14/48 |
代理机构 | 中国科学院兰州专利事务所 | 代理人 | 王玉双 |
主权项 | 1、一种沉积高质量薄膜低温等离子体装置,包括阴极弧等离子体源(1)、真空靶室(5),其特征在于连接阴极弧等离子体源(1)与真空靶室(5)的导管为磁螺旋管(2),在磁螺旋管(2)内设有螺旋线圈(3),在磁螺旋管(2)外设有磁场(4)。 | ||
地址 | 730000甘肃省兰州市天水路298号 |