| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit einem Halbleiterkoerper aus zwei Schichten |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1027800(B) |
申请公布日期 |
1958.04.10 |
| 申请号 |
DE1953W012314 |
申请日期 |
1953.10.13 |
| 申请人 |
WESTERN ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED |
发明人 |
EARLY JAMES MICHAEL |
| 分类号 |
H01L21/24;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/72;H01L29/73;H01L31/18;H03K17/56 |
主分类号 |
H01L21/24 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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