| 发明名称 |
SELECTIVE SALICIDE PROCESS BY REFORMATION OF SILICON NITRIDE SIDEWALL SPACERS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG85651(A1) |
申请公布日期 |
2002.01.15 |
| 申请号 |
SG19990003003 |
申请日期 |
1999.06.21 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
LEE YONG MENG |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/60;H01L21/8247;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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