发明名称 METHOD FOR FORMING A T-GATE FOR BETTER SALICIDATION
摘要
申请公布号 SG85702(A1) 申请公布日期 2002.01.15
申请号 SG20000001843 申请日期 2000.03.30
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD 发明人 CHIVUKULA SUBRAHMANYAM;YELEHANKA RAMACHANDRAMURTHY PRADEEP;RAMAKRISHNAN RAJAGOPAL
分类号 H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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