| 主权项 |
1.一种微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆体之制造方法,该方法包括:提供一基底;形成一穿遂氧化层于该基底上;形成一第一半球形晶粒矽层于该穿遂氧化层上;形成一第一介电层于该第一半球形晶粒矽层上;形成一第二半球形晶粒矽层于该第一介电层上;形成一第二介电层于该第二半球形晶粒矽层上;形成一导电层于该第二介电层上;定义与蚀刻该第一与第二半球形晶粒矽层、该第一与第二介电层以及该导电层脱离堆叠结构,于该源极区与汲极区之间;以及形成一源极区与一汲极区于该基底中。2.如申请权利范围第1项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中该穿遂氧化层厚度小于70埃。3.如申请权利范围第1项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中形成该第一半球形晶粒矽层与第二半球形晶粒矽层之方法包括利用温合湿式蚀刻法控制半球形晶粒之尺寸以及间隔距离。4.如申请权利范围第3项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中该温和湿式蚀刻法包括利用氨水/过氧化氢/水为蚀刻溶液进行蚀刻。5.如申请权利范围第1项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中该第一半球形晶粒矽层与第二半球形晶粒矽层之平均晶粒尺寸小于100埃。6.如申请权利范围第1项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中该第一介电层厚度小于40埃。7.如申请权利范围第1项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中该第二介电层包括氧化矽/氮化矽/氧化矽结构。8.如申请权利范围第1项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中该导电层为经掺杂复晶矽。9.一种微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,该方法包括:提供一基底;形成一穿遂氧化层于该基底上;形成一半球形晶粒矽层于该穿遂氧化层上;形成一介电层于该半球形晶粒矽层上;形成一导电层于该介电层上;定义与蚀刻该半球形晶粒矽层、该介电层以及该导电层脱离该半球形晶粒矽层、该介电层以及该导电层之堆叠结构;以及形成一源极邻接该堆叠结构之第一边缘和一汲极邻接该堆叠结构之第二边缘。10.如申请权利范围第9项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中形成该半球形晶粒矽层之方法包括利用温和湿式蚀刻法控制半球形晶粒之尺寸以及间隔距离。11.如申请权利范围第10项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中该温和湿式蚀刻法包括利用氨水/过氧化氢/水为蚀刻溶液进行蚀刻。12.如申请权利范围第9项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中该半球形晶粒矽层之平均晶粒尺寸小于100埃。13.如申请权利范围第9项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中该穿遂氧化层厚度小于70埃。14.一种微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,该方法包括:提供一基底;形成一源极区与一汲极区于该基底中;形成一穿遂氧化层于该基底上;形成一半球形晶粒矽层于该穿遂氧化层上;形成一介电层于该半球形晶粒矽层上;形成一导电层于该介电层上;以及定义与蚀刻该半球形晶粒矽层、该介电层以及该导电层脱离该半球形晶粒矽层、该介电层以及该导电层之堆叠结构于该源极区与汲极区之间。15.如申请权利范围第14项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中形成该半球形晶粒矽层之方法包括利用温和湿式蚀刻法控制半球形晶粒之尺寸以及间隔距离。16.如申请权利范围第15项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中该温和湿式蚀刻法包括利用氨水/过氧化氢/水为蚀刻溶液进行蚀刻。17.如申请权利范围第14项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中该穿遂氧化层厚度小于70埃。18.如申请权利范围第14项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中该半球形晶粒矽层之平均晶粒尺寸小于100埃。19.如申请权利范围第14项所述之微矽结晶点当浮置闸极之ETOX记忆胞之制造方法,其中该介电层厚度小于40埃。20.一记忆体记忆胞,该记忆体记忆胞包括:一基底;一堆叠结构,该堆叠结构形成于该基底上,且该堆叠结构包括:一穿遂氧化层,该穿遂氧化层形成于该基底上;一浮置闸极,该浮置闸极形成于该穿遂氧化层上,且该浮置闸极由分离的半球形晶粒矽岛所形成;一介电层,该介电层形成于该浮置闸极上;以及,一控制闸极,该控制闸极形成于该介电层上;一源极,该源极形成于该基底上并邻接该堆叠结构之第一边缘;以及一汲极,该汲极形成于该基底上并邻接该堆叠结构之第二边缘。21.如申请权利范围第20项所述之记忆体记忆胞,其中该穿遂氧化层厚度小于70埃。22.如申请权利范围第20项所述之记忆体记忆胞,其中该半球形晶粒矽岛之平均晶粒尺寸小于100埃。23.如申请权利范围第20项所述之记忆体记忆胞,其中该介电层包括氧化矽/氮化矽/氧化矽结构。24.如申请权利范围第20项所述之记忆体记忆胞,其中抹除该记忆胞系以供应该源极与该汲极一电压导致Fowler-Nordheim穿遂经由该浮置闸极至该源极与汲极。25.如申请权利范围第20项所述之记忆体记忆胞,其中抹除该记忆胞系以供应该控制闸极一正电压引起电子注入经由该半球形晶粒矽岛至该控制闸极。26.如申请权利范围第20项所述之记忆体记忆胞,其中该记忆胞可储存两位元资料以及程式化该记忆胞为:对于一「00」,该源极与该汲极接地;对于一「01」,当该源极接地时,供应一正电压于该控制闸极与该汲极;对于一「10」,当该汲极接地时,供应一正电压于该控制闸极与该源极;以及对于一「11」,供应一正电压于该控制闸极与该源极与该汲极。27.如申请权利范围第20项所述之记忆体记忆胞,其中读取该记忆胞可储存之两位元资料为:供应一正电压于该控制闸极;当该源极接地时,供应一正电压于该汲极和测量一汲极电流;以及当该汲极接地时,供应一正电压于该源极和测量一源极电流;测量逻辑上之「00」,如果该源极电流以及该汲极电流是小的;测量逻辑上之「11」,如果该源极电流以及该汲极电流是大的;测量逻辑上之「01」,如果该源极电流是小的以及该汲极电流是大的;以及测量逻辑上之「10」,如果该源极电流是大的以及该汲极电流是小的。图式简单说明:第一图习知一种以三井制程形成ETOX记忆胞之概要图;第二图至第十三图根据本发明之一种ETOX记忆胞形成方法流程剖面图;第十四图至第十五图第十三图中之ETOX记忆胞之抹除操作概要图;第十六图至第十九图第十三图中之ETOX记忆胞在程式化操作时之概要图;以及第二十图是第二十一图第十三图中之ETOX记忆胞在读取操作时之概要图。 |
