| 主权项 |
1.一种离子植入制程,包括:提供一基底,在该基底内有一隔离结构将一主动区隔离出来;于该基底上形成一遮蔽层;于该基底上形成一光阻层,并进行微影步骤以图案化该光阻层,以暴露出该主动区;以该光阻层为罩幕,对该基底进行一0度角离子植入步骤;以及同时去除该光阻层与该遮蔽层。2.如申请专利范围第1项所述之离子植入制程,其中该遮蔽层的厚度在600-900埃之间。3.如申请专利范围第1项所述之离子植入制程,其中该遮蔽层包括一底抗反射层。4.如申请专利范围第3项所述之离子植入制程,其中该底抗反射层包括一有机底抗反射层。5.如申请专利范围第1项所述之离子植入制程,其中该光阻层的厚度约为2.5m。6.一种离子植入制程,包括:提供一基底;于该基底上形成一遮蔽层;于该基底上形成一光阻层;图案化该光阻层,以暴露出该基底上的一第一区域;以该光阻层为罩幕,对该基底上的该第一区域进行一0度角井离子植入步骤,以形成一扩散区;以及同时去除该光阻层与该遮蔽层。7.如申请专利范围第6项所述之离子植入制程,其中该扩散区包括一井区。8.如申请专利范围第6项所述之离子植入制程,其中该扩散区包括一主动区。9.如申请专利范围第6项所述之离子植入制程,其中该遮蔽层的厚度在600-900埃之间。10.如申请专利范围第6项所述之离子植入制程,其中该遮蔽层的材质需选择可与该光阻层一并去除的材质。11.如申请专利范围第6项所述之离子植入制程,其中该遮蔽层包括一底抗反射层。12.如申请专利范围第8项所述之离子植入制程,其中该底抗反射层包括一有机底抗反射层。13.如申请专利范围第6项所述之离子植入制程,其中该光阻层的厚度约为2.5m。图式简单说明:第一图是习知一种习知一种离子植入步骤前的半导体元件上视图;第二图为第一图中II-II剖面的制作示意图;第三图是经过第二图所示之离子植入步骤后的半导体元件上视图;第四图是习知一种井离子植入步骤的半导体元件制作示意图;第五图A至第五图D是依照本发明一较佳实施例一种半导体元件制造流程示意图;以及第六图A至第六图B是依照本发明另一较佳实施例一种半导体元件的制造流程示意图。 |
