| 主权项 |
1.一种处理基板(31)之装置(1),尤其是半导体晶圆,其程序容器(2)具至少一第一开口(29),该开口(29)可被基板(31)从第一种序容器(2)外封闭,其特征为,有一与程序容器(2)相邻之第二程序容器(60),其之一壁面(9),至少部分是第一种序容器(2)包含开口(29)之容器壁面(9),该开口(29)可从第一种序容器之侧面封闭。2.根据申请专利范围第1项所述之装置(1),其特征为,开口(29)是设计在程序容器(2)大致是垂直之壁面(9)内。3.根据申请专利范围第1项所述之装置(1),其特征为,形成开口(29)边缘之密封元件(32)。4.根据申请专利范围第3项所述之装置(1),其特征为,密封元件(32)有一侧凹(35)。5.根据申请专利范围第3项所述之装置(1),其特征为,密封元件(32)具一密封唇。6.根据申请专利范围第5项所述之装置(1),其特征为,密封唇是由构成密封元件(32)之密封材料之铣切而形成。7.根据申请专利范围第1项所述之装置(1),其特征为,接触元件(37)用于基板(31)面向程序容器(2)之表面(40)之电接触。8.根据申请专利范围第7项所述之装置(1),其特征为,接触元件(37)延伸进入密封元件(32)之侧凹(35)范围。9.根据申请专利范围第1项所述之装置(1),其特征为,电极(20)位在开口(29)对面。10.根据申请专利范围第9项所述之装置(1),其特征为,电极为一电极板(20)。11.根据申请专利范围第10项所述之装置(1),其特征为,电极板(20)具多个开口(74),用以导出至少一流体。12.根据申请专利范围第9项所述之装置(1),其特征为,电极(20)系一阳电极。13.根据申请专利范围第9项所述之装置(1),其特征为,电极(20)可运动趋向或离开开口(29)。14.根据申请专利范围第13项所述之装置(1),其特征为,开口(29)可由电极(20)从第一种序容器之侧面封闭。15.根据申请专利范围第14项所述之装置(1),其特征为,在电极(20)上至少有一密封元件(25)及/或有一包围开口(29)之容器壁面(9)。16.根据申请专利范围第15项所述之装置(1),其特征为,密封元件(25)在径向包围电极,且在轴向凸出面向开口(29)之表面。17.根据申请专利范围第16项所述之装置(1),其特征为,至少一可导入程序容器(2)之处理流体是包含金属之电解液及/或蚀刻媒质。18.根据申请专利范围第1项所述之装置(1),其特征为,第二程序容器(60)构成一清洗室及/或脱乾室,及/或一表面调节室。19.根据申请专利范围第1项所述之装置(1),其特征为,基板固持件(4)具至少一可相对基板固持件(4)主体(42)运动之真空爪手(44)。20.根据申请专利范围第19项所述之装置(1),其特征为,真空爪手(44)是设置在主体(42)面向基板(31)之表面内。21.根据申请专利范围第20项所述之装置(1),其特征为,真空爪手(44)可沉入基板固持件(4)之主体(42)内。22.根据申请专利范围第19项所述之装置(1),其特征为,在与真空爪手(44)相连之真空管路(45)内有一压力感测器。23.根据申请专利范围第19项所述之装置(1),其特征为,在基板固持件(4)面向基板(31)之主体(42)表面内有多个固定之真空开口(47)。24.根据申请专利范围第23项所述之装置(1),其特征为,真空开口(47)在径向包围真空爪手(44)。25.根据申请专利范围第23项所述之装置(1),其特征为,真空开口(47)可独立于真空爪手(44)施加真空。26.根据申请专利范围第23项所述之装置(1),其特征为,基板固持件(4)至少有一在径向包围真空开口(47)之密封元件(51)。27.根据申请专利范围第26项所述之装置(1),其特征为,在基板固持件(4)上之密封元件(51)具有弹性,且位于开口(29)周围之密封元件(32),尤其是密封唇对面。图式简单说明:第一图:依本发明装置实施形式之示意图;第二图:第一图中圆形范围之放大示意图;第三图:本发明具二程序容器之另一实施形式。 |
