| 主权项 |
1.一种晶片直接贴附记忆体模组,包括:一基板;至少一晶片组,贴附于该基板上并直接与该基板电性连接,其中该晶片组由并排之复数个晶片所构成,且该些晶片之间具有复数条电路将该些晶片彼此电性连接;以及一封装材料,至少包覆该晶片组与该基板电性连接的部分。2.如申请专利范围第1项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该基板,包括:复数层图案化线路层;以及至少一绝缘层,配置于相邻的该些图案化线路层之间,以形成电性隔离,其中该绝缘层中具有复数个导电贯孔,使得该些图案化线路层彼此电性连接。3.如申请专利范围第2项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该绝缘层之材质系选自于由玻璃环氧基树脂、双顺丁烯二酸醯亚胺-三氮杂苯、环氧树脂及聚亚醯胺所组成之族群中的一种材质。4.如申请专利范围第2项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该图案化线路层系由一铜箔,经过微影定义形成。5.如申请专利范围第1项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该晶片组系以覆晶方式与该基板电性连接,且该封装材料系填充于该晶片组与该基板之间。6.如申请专利范围第1项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该晶片组系以复数条导线与该基板电性连接,且该封装材料包覆该晶片组与该些导线。7.如申请专利范围第1项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该晶片组系由八颗晶片并排组成。8.如申请专利范围第1项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该晶片组中所含的晶片数量为偶数,且该晶片直接贴附记忆体模组中所含晶片总数为八颗。9.如申请专利范围第1项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该晶片组中所含的晶片数量为偶数,且该晶片直接贴附记忆体模组中所含晶片总数为十六颗。10.如申请专利范围第8或9项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该晶片组中所含的晶片数量为二、四及八三者择一。11.一种晶片直接贴附记忆体模组,包括:一基板;至少一晶片组,贴附于该基板上并直接与该基板电性连接,其中该晶片组由并排之复数个晶片所构成;以及一封装材料,至少包覆该晶片组与该基板电性连接的部分。12.如申请专利范围第11项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该晶片组系以覆晶方式与该基板电性连接,且该封装材料系填充于该晶片组与该基板之间。13.如申请专利范围第11项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该晶片组系以复数条导线与该基板电性连接,且该封装材料包覆该晶片组与该些导线。14.如申请专利范围第11项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该晶片组系由八颗晶片并排组成。15.如申请专利范围第11项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该晶片组中所含的晶片数量为偶数,且该晶片直接贴附记忆体模组中所含晶片总数为八颗。16.如申请专利范围第11项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该晶片组中所含的晶片数量为偶数,且该晶片直接贴附记忆体模组中所含晶片总数为十六颗。17.如申请专利范围第15或16项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该晶片组中所含的晶片数量为二、四及八三者择一。18.一种晶片直接贴附记忆体模组制程,包括:提供一晶圆,该晶圆由复数个晶片所组成;进行一第一测试步骤,对该晶圆上之该些晶片进行测试;进行一老化测试步骤;进行一第二测试步骤,对该晶圆上之该些晶片进行测试;进行晶圆切割步骤,将该些晶片分离形成复数个晶片组,每一该些晶片组具有二个以上且并排之该些晶片;提供一记忆体模组基板;依据该晶片直接贴附记忆体模组所需之晶片数量,将部分该些晶片组贴附于该记忆体模组基板表面,并与该记忆体模组基板电性连接;以及以一封装材料至少包覆该些晶片组与该记忆体模组基板电性连接的部分。19.如申请专利范围第18项所述之晶片直接贴附记忆体模组制程,其中每一该些晶片组中,该些晶片间具有复数条电路彼此电性连接。20.如申请专利范围第18项所述之晶片直接贴附记忆体模组制程,其中该晶片组系以覆晶方式与该记忆体模组基板电性连接,且该封装材料系填充于该晶片组与该记忆体模组基板之间。21.如申请专利范围第18项所述之晶片直接贴附记忆体模组制程,其中该晶片组系以复数条导线与该记忆体模组基板电性连接,且该封装材料包覆该晶片组与该些导线。22.如申请专利范围第18项所述之晶片直接贴附记忆体模组制程,其中该晶片组系由八颗晶片并排组成。23.如申请专利范围第18项所述之晶片直接贴附记忆体模组制程,其中该晶片组中所含的晶片数量为偶数,且该晶片直接贴附记忆体模组中所含晶片总数为八颗。24.如申请专利范围第18项所述之晶片直接贴附记忆体模组制程,其中该晶片组中所含的晶片数量为偶数,且该晶片直接贴附记忆体模组中所含晶片总数为十六颗。25.如申请专利范围第23或24项所述之晶片直接贴附记忆体模组制程,其中该晶片组中所含的晶片数量为二、四及八三者择一。图式简单说明:第一图绘示习知记忆体模组之封装结构。第二图绘示记忆体晶圆的俯视图。第三图绘示对应于第二图中同一晶片组内晶片之剖面放大示意图。第四图绘示依照本发明第一较佳实施例的一种晶片直接贴附记忆体模组之示意图。第五图绘示对应于第四图中I-I剖面线之剖面示意图。第六图绘示依照本发明第二较佳实施例对应于第二图中同一晶片组内晶片之剖面放大示意图。第七图绘示依照本发明第三较佳实施例的一种晶片直接贴附记忆体模组之俯视图。第八图绘示对应于第七图中II-II剖面线之剖面示意图。第九图绘示依照本发明第四较佳实施例的一种晶片直接贴附记忆体模组之俯视图。 |
