| 主权项 |
1.一种微间距之晶圆凸块制程,包括:提供一晶圆,具有复数个焊垫及一保护层覆盖于该晶圆表面并暴露出该些焊垫,每一该些焊垫表面分别具有一球底金属层;形成一第一图案化厚膜层于该晶圆表面,该第一图案化厚膜层具有复数个第一开口,该些第一开口分别暴露出该些球底金属层;进行一第一焊料填入步骤,将一第一焊料分别填入该些第一开口;进行一第一回焊步骤,使该第一焊料形成一第一焊料柱;形成一第二图案化厚膜层于该第一图案化厚膜层表面,该第二图案化厚膜层具有复数个第二开口,该些第二开口分别暴露出该些第一开口;进行一第二焊料填入步骤,将该第二焊料分别填入该些第二开口;进行一第二回焊步骤,使该第二焊料与该第一焊料柱形成一第二焊料柱;以及剥除该第一图案化厚膜层及该第二图案化厚膜层;最后,进行一整体回焊步骤,以使该第一焊料柱及该第二焊料柱形成一球体凸块。2.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该球底金属层系选自于由铬、钛、钛钨合金、铜、镍、铬铜合金、镍钒合金、镍金合金及该等之组合所组成之组群中的一种材质。3.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该些焊料包括锡铅合金。4.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该些第二开口之尺寸大于对应之该些第一开口。5.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该些第二开口之尺寸等于对应之该些第一开口。6.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该第一焊料填入步骤之方法包括印刷填入。7.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该第二焊料填入步骤之方法包括印刷填入。8.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中第一图案化厚膜层系为一光阻层,其形成方法包括:涂布该光阻层;以及对该光阻层进行曝光显影蚀刻步骤,以形成该些第一开口的图案。9.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中第二图案化厚膜层系为一光阻层,其形成方法包括:涂布该光阻层;以及对该光阻层进行曝光显影蚀刻步骤,以形成该些第二开口的图案。10.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该些第一开口的间距小于150微米。11.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该些第二开口的间距小于150微米。12.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该第一图案化厚膜层厚度为25微米左右。13.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该第一图案化厚膜层厚度为50微米左右。14.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该第二图案化厚膜层厚度为25微米左右。15.如申请专利范围第1项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该第二图案化厚膜层厚度为50微米左右。16.一种微间距之晶圆凸块制程,包括:提供一晶圆,具有复数个焊垫及一保护层覆盖于该晶圆表面并暴露出该些焊垫,每一该些焊垫表面分别具有一球底金属层;形成一第一图案化厚膜层于该晶圆表面,该第一图案化厚膜层具有复数个第一开口,该些第一开口分别暴露出该些球底金属层;进行一第一焊料填入步骤,将一第一焊料分别填入该些第一开口;进行一第一回焊步骤,使该第一焊料形成一第一焊料柱;形成一第二图案化厚膜层于该第一图案化厚膜层表面,该第二图案化厚膜层具有复数个第二开口,该些第二开口分别暴露出该些第一开口;进行一第二焊料填入步骤,将该第二焊料分别填入该些第二开口;进行一第二回焊步骤,使该第二焊料与该第一焊料柱形成一第二焊料柱;依序重复该形成图案化厚膜层、该焊料填入步骤及该回焊步骤一次以上,剥除该些图案化厚膜层;最后,进行一整体回焊步骤,以使该些焊料柱形成一球体凸块。17.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该球底金属层系选自于由铬、钛、钛钨合金、铜、镍、铬铜合金、镍钒合金、镍金合金及该等之组合所组成之组群中的一种材质。18.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该些焊料包括锡铅合金。19.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该些第二开口之尺寸大于对应之该些第一开口。20.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该些第二开口之尺寸等于对应之该些第一开口。21.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该第一焊料填入步骤之方法包括印刷填入。22.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该第二焊料填入步骤之方法包括印刷填入。23.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中第一图案化厚膜层系为一光阻层,其形成方法包括:涂布该光阻层;以及对该光阻层进行曝光显影蚀刻步骤,以形成该些第一开口的图案。24.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中第二图案化厚膜层系为一光阻层,其形成方法包括:涂布该光阻层;以及对该光阻层进行曝光显影蚀刻步骤,以形成该些第二开口的图案。25.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该些第一开口的间距小于150微米。26.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该些第二开口的间距小于150微米。27.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该第一图案化厚膜层厚度为25微米左右。28.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该第一图案化厚膜层厚度为50微米左右。29.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该第二图案化厚膜层厚度为25微米左右。30.如申请专利范围第16项所述微间距之晶圆凸块制程,其中该第二图案化厚膜层厚度为50微米左右。图式简单说明:第一图绘示习知的印刷制程之厚膜示意图;第二图-第四图绘示习知印刷制程流程示意图;第五图-第十三图绘示依照本发明之较佳实施例的晶圆凸块制程流程示意图。 |
