| 主权项 |
1.一种非等向性湿式蚀刻方法,包括:提供一半导体基底,该半导体基底表面上包括一第一沈积层;在该第一沈积层表面形成对紫外光敏感的一层有机氧化物玻璃涂布层;涂布一层光阻层;利用光罩定义该光阻层以形成一开口;利用一紫外光垂直照射在该半导体基底表面;进行湿式蚀刻步骤移除该开口底部之该涂布层;进行蚀刻步骤移除该光阻层;以及进行固化步骤。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一沈积层为一矽层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一沈积层为一多晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一沈积层为一铝层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该有机氧化物玻璃涂布层之方法为旋涂式玻璃涂布法。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该有机氧化物玻璃涂布层之方法为化学气相沈积法。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该紫外光之波长为短于约3000。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该湿式蚀刻所使用的蚀刻剂为氟化氢。9.一种非等向性湿式蚀刻方法;包括:提供一半导体基底,该半导体基底表面上包含一第一沈积层;在该第一沈积层表面形成对紫外光敏感的一层有机氧化物玻璃涂布层;涂布一层光阻层;利用光罩定义该光阻层以形成一开口;利用波长小于3000的一紫外光垂直照射在该半导体基底表面;进行蚀刻步骤移除该光阻层;进行湿式蚀刻步骤移除该开口底部之该涂布层;以及进行固化步骤。10.一种非等向性湿式蚀刻方法,包括:提供一半导体基底,该半导体基底表面上包含一第一沈积层;在该第一沈积层表面形成对紫外光敏感的一层有机氧化物玻璃涂布层;涂布一层光阻层;利用光罩定义该光阻层以形成一开口;利用波长小于3000的一紫外光垂直照射在该半导体基底表面;进行湿式蚀刻步骤移除该开口底部之该涂布层;以及进行蚀刻步骤移除该光阻层。11.一种非等向性湿式蚀刻方法,包括:提供一半导体基底,该半导体基底表面上包含一第一沈积层;在该第一沈积层表面形成对紫外光敏感的一层有机氧化物玻璃涂布层;涂布一层光阻层;利用光罩定义该光阻层以形成上开口;利用波长小于3000的一紫外光垂直照射在该半导体基底表面;进行蚀刻步骤移除该光阻层;以及进行湿式蚀刻步骤移除该开口底部之该涂布层。图式简单说明:第一图A至第一图B绘示出习知的一种湿式蚀刻;以及第二图A至第二图F绘示出应用本发明之一较佳实施例。 |
