| 主权项 |
1.一种侧向薄膜绝缘体上积矽(SOI)装置(20),其包含一半导体基板(22),一埋入在该基板上的绝缘层(24),及在该埋入绝缘层上一SOI层(26)中的一侧向电晶体装置,该电晶体装置具有第一导电形式(28)的一源极区域,其系形成在相对于该第一导电形式的一第二导电形式(30)的主体区域内,该第1导电形式的侧向漂移区域(32)系位在相邻于该主体区域,并形成淡掺杂汲极区域,一第一导电形式(34)的汲极接触区域系被该侧向漂移区域由该主体区域侧向地隔开,以及一闸极(36),其系位在该主体区域的一部份之上,其中一通道区域在运作期间形成,并延伸到相邻于该主体区域的该侧向漂移区域的一部份之上,而该闸极系由一表面绝缘区域(38)而与该主体区域及漂移区域绝缘,而该侧向漂移区域(32)中至少一部份为反向掺杂截面,所以在相邻于该埋入绝缘层(24)的该侧向漂移区域的一部份处的掺杂度,将会大于相邻于该表面绝缘区域(38,38A,38B)的该侧向漂移区域的一部份处的掺杂度。2.如申请专利范围第1项之侧向薄膜绝缘体上积矽(SOI)装置,其中该反向掺杂截面包含一砷掺杂剂。3.如申请专利范围第2项之侧向薄膜绝缘体上积矽(SOI)装置,其中在相邻于该埋入绝缘层的该侧向漂移区域的该部份处的该掺杂度会大于约50%的在相邻于该表面绝缘区域的该侧向漂移区域的该部份处的该掺杂度。4.一种制造侧向薄膜绝缘体上积矽(SOI)装置(20)的方法,包含一半导体基板(22),一埋入在该基板上的绝缘层(24),及在该埋入绝缘层上一SOI层(26)中的一侧向电晶体装置,该电晶体装置具有第一导电形式(28)的一源极区域,其系形成在相对于第一导电形式的一第二导电形式(30)的主体区域内,该第一导电形式的侧向漂移区域(32)系位在相邻于该主体区域,并形成淡掺杂汲极区域,一第一导电形式(34)的汲极接触区域系被该侧向漂移区域由该主体区域侧向地隔开,以及一闸极(36),其系位在该主体区域的一部份之上,其中一通道区域在运作期间形成,并延伸到相邻于该主体区域的该侧向漂移区域的一部份之上,而该闸极系由一表面绝缘区域(38,38A,38B)而与该主体区域及漂移区域绝缘,而该侧向漂移区域(32)中至少一部份为反向掺杂截面,所以在相邻于该埋入绝缘层(24)的该侧向漂移区域的一部份处的掺杂度,将会大于相邻于该表面绝缘区域(38,38A,38B)的该侧向漂移区域的一部份处的掺杂度,该方法包含:以一所需要的掺杂剂来掺杂该半导体基板;氧化该半导体基板来形成该埋入绝缘层,该埋入绝缘层包含该掺杂剂;形成该SOI层在包含有该掺杂剂的该埋入绝缘层上;及由该埋入绝缘层热扩散该掺杂剂到该SOI层,来形成该反向掺杂截面。5.如申请专利范围第4项之制造侧向薄膜绝缘体上积矽(SOI)装置的方法,其中该半导体基板系以砷来掺杂。6.如申请专利范围第5项之制造侧向薄膜绝缘体上积矽(SOI)装置的方法,其中该半导体基板系掺杂到砷的该固态溶解限制。7.如申请专利范围第6项之制造侧向薄膜绝缘体上积矽(SOI)装置的方法,其中在相邻于该埋入绝缘层的该侧向漂移区域的该部份处的该掺杂度会大于约50%的在相邻于该表面绝缘区域的该侧向漂移区域的该部份处的该掺杂度。8.如申请专利范围第4项之制造侧向薄膜绝缘体上积矽(SOI)装置的方法,其中该掺杂剂系被用来制造该SOI装置的至少一热扩散循环来进行热扩散。9.一种侧向薄膜绝缘体上积矽(SOI)装置(20),包含一半导体基板(22),一埋入在该基板上的绝缘层(24),及在该埋入绝缘层上一SOI层(26)中的一侧向电晶体装置,并包含一淡掺杂侧向区域(32),及在该侧向区域上的一表面绝缘区域(38,38A,38B),该侧向区域包含至少一部份的反向掺杂截面,所以在相邻于该埋入绝缘层(24)的该侧向区域(32)的一部份处的掺杂度,将会大于相邻于该表面绝缘区域(38,38A,38B)的该侧向区域的一部份处的掺杂度。10.一种制造侧向薄膜绝缘体上积矽(SOI)装置(20)的方法,包含一半导体基板(22),一埋入在该基板上的绝缘层(24),及在该埋入绝缘层上一SOI层(26)中的一侧向装置,并包含一淡掺杂侧向区域(32),及在该侧向区域上的一表面绝缘区域(38,38A,38B),该侧向区域包含至少一部份的反向掺杂截面,所以在相邻于该埋入绝缘层(24)的该侧向区域(32)的一部份处的掺杂度,将会大于相邻于该表面绝缘区域(38,38A,38B)的该侧向区域的一部份处的掺杂度,该方法包含:以一所需要的掺杂剂来掺杂该半导体基板(22);氧化该半导体基板来形成该埋入绝缘层(24),该埋入绝缘层包含该掺杂剂;形成该SOI层(26)在包含有该掺杂剂的该埋入绝缘层(24)上;及由该埋入绝缘层(24)热扩散该掺杂剂到该SOI层(26),来形成该反向掺杂截面。图式简单说明:第一图本发明可参考以下说明而得到更完整的了解,并可配合所附图面,其中唯一的图面所示为根据本发明的一较佳具体实施例的一侧向薄膜SOI装置的一简化截面图。 |
