| 主权项 |
1.一种静态随机存取记忆体的制造方法,该方法包括:在一基底上形成图案化的一第一氧化层、一导体层与一顶盖层,以形成一堆叠闸;于该基底上形成一罩幕层,以覆盖部分该堆叠间之表面,使该堆叠间之一汲极侧的该第一氧化层裸露出来;进行一热氧化制程,以使所裸露出来之该第一氧化层的厚度增加,而形成汲极端厚度较厚于其他之处的一闸氧化层;去除该罩幕层与该顶盖层;以及于该基底中形成一源极区与一汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中于该基底上形成该罩幕层的方法包括:在该基底上形成一第二氧化层,以覆盖该堆叠闸与该基底表面;在该第二氧化层上形成一氮化矽层;以及将该氮化矽层与该第二氧化层图案化,使该堆叠闸其该汲极侧之该第一氧化层、该导体层与该顶盖层裸露出来。3.如申请专利范围第2项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该第二氧化层系以四乙基矽甲烷为化学气相沉积制程之气体源所形成者。4.如申请专利范围第2项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该氮化矽层的形成方法包括低压化学气相沉积法。5.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该顶盖层之材质包括氮化矽。6.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该热氧化制程为一湿式热氧化制程。7.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该热氧化制程为一乾式热氧化制程。8.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该热氧化制程之施行温度为摄氏800度至摄氏1000度。9.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该热氧化制程系使该汲极端之该氧化层热氧化呈鸟嘴状。10.一种静态随机存取记忆体的制造方法,该方法包括:在一基底上形成一第一氧化层、一导体层与一顶盖层;将该顶盖层、该导体层与该热氧化层图案化以形成复数个堆叠闸,用以制作复数个传送闸元件、复数个电压下拉元件与复数个电压负载元件;于该基底上形成具有一开口的一罩幕层,该罩幕层覆盖部分该堆叠闸之表面,而该开口裸露出该些电压下拉元件与该些电压负载元件之该些堆叠闸其一汲极侧之该些第一氧化层;进行一热氧化制程,以使所裸露出来之该些第一氧化层发生氧化而厚度增加,形成汲极端厚度较厚于其他之处的一闸氧化层;去除该罩幕层与该顶盖层;以及于该基底中形成该些传送闸元件、该些电压下拉元件与该些电压负载元件之复数个源极区与复数个汲极区。11.如申请专利范围第10项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该些电压下拉元件为N型金氧半导体。12.如申请专利范围第10项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该些电压负载元件为P型金氧半导体。13.如申请专利范围第10项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中于该基底上形成该罩幕层的方法包括:在该基底上形成一第二氧化层,以覆盖该些堆叠闸与该基底表面;在该第二氧化层上形成一氮化矽层;以及将该氮化矽层与该第二氧化层图案化,以形成该开口使该些电压下拉元件与该些电压负载元件之该些堆叠闸之该汲极侧的该第一氧化层、该导体层与该顶盖层裸露出来。14.如申请专利范围第13项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该第二氧化层系以四乙基矽甲烷为化学气相沉积制程之气体源所形成者。15.如申请专利范围第13项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该氮化矽层的形成方法包括低压化学气相沉积法。16.如申请专利范围第10项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该热氧化制程为一湿式热氧化制程。17.如申请专利范围第10项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该热氧化制程为一乾式热氧化制程。18.如申请专利范围第10项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该顶盖层系由氮化矽所组成。19.如申请专利范围第10所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该热氧化制程之施行温度为摄氏800度至摄氏1000度。20.如申请专利范围第10项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该热氧化制程系使该汲极端之该氧化层热氧化呈鸟嘴状。图式简单说明:第一图是习知六个电晶体所组成之静态随机存取记忆体之电路结构图。第二图是习知避免闸极诱发汲极漏电流之静态随机存取记忆体其电晶体的剖面示意图。第三图A至第三图D系依照本发明较佳实施例所绘示之一种静态随机存取记忆体之制造流程的上视图。第四图A至第四图D系绘示第三图A至第三图D其IV-IV切线之剖面图。 |
