| 主权项 |
1.一种减少铜导线因研磨或蚀刻而损伤的方法,适用于镶崁式(damascene)内连导线制程,包括下列步骤:提供一半导体基底,其上方形成有所需电子元件;形成一介电层覆于该半导体基底上,并以适当蚀刻程序在该介电层中形成包含内连导线凹槽和接触窗的镶崁式开口,露出该电子元件的接触区;形成一阻障金属/铜晶种层(barrier metal/Cu seed layer),覆于该电子元件的接触区、该镶崁式开口、和该介电层露出的表面上;形成一铜金属层于该铜晶种层上,以填满该镶崁式开口;以及施行一化学性机械研磨(CMP)程序,以去除该铜金属层高出该介电层表面的部分,而留下在该镶崁式开口中的铜导线和接触拴构造;其特征在于,在孤立(isolated)或靠近空旷区域(open field)的铜导线外侧,增设虚置(dummy)的铜导线构造,以减少其因研磨处理或后续清洁溶液的蚀刻而受到损伤。2.如申请专利范围第1项所述减少铜导线因研磨或蚀刻而损伤的方法,其中该介电层系由双层材料所构成,包括一电浆加强化学气相沈积程序(PECVD)所沈积的氧化矽层,以及一伸芳基醚聚合物【poly(aryleneether)polymer】层。3.如申请专利范围第1项所述减少铜导线因研磨或蚀刻而损伤的方法,其中该阻障金属的材质系氮化钛(TiN)、钽金属(Ta)、或氮化钽(TaN)。4.如申请专利范围第1项所述减少铜导线因研磨或蚀刻而损伤的方法,其中所谓空旷区域系指该些铜导线之间的距离大于或等于200m者。5.一种减少铜导线因研磨或蚀刻而损伤的方法,适用于镶崁式(damascene)内连导线制程,包括下列步骤:提供一半导体基底,其上方形成有所需电子元件;形成一介电层覆于该半导体基底上,并以适当蚀刻程序在该介电层中形成包含内连导线凹槽和接触窗的镶崁式开口,露出该电子元件的接触区;形成一阻障金属/铜晶种层(barrier metal/Cu seed layer),覆于该电子元件的接触区、该镶崁式开口、和该介电层露出的表面上;形成一铜金属层于该铜晶种层上,以填满该镶崁式开口;以及施行一化学性机械研磨(CMP)程序,以去除该铜金属层高出该介电层表面的部分,而留下在该镶崁式开口中的铜导线和接触拴构造;其特征在于,在孤立(isolated)或靠近空旷区域(open field)的铜导线上,增设末端锤头构造,以减少其因研磨处理或后续清洁溶液的蚀刻而受到损伤。6.如申请专利范围第5项所述减少铜导线因研磨或蚀刻而损伤的方法,其中该介电层系由双层材料所构成,包括一电浆加强化学气相沈积程序(PECVD)所沈积的氧化矽层,以及一伸芳基醚聚合物【poly(arylene ether) polymer】层。7.如申请专利范围第5项所述减少铜导线因研磨或蚀刻而损伤的方法,其中该阻障金属的材质系氮化钛(TiN)、钽金属(Ta)、或氮化钽(TaN)。8.如申请专利范围第5项所述减少铜导线因研磨或蚀刻而损伤的方法,其中所谓空旷区域系指该些铜导线之间的距离大于或等于200m者。9.如申请专利范围第5项所述减少铜导线因研磨或蚀刻而损伤的方法,其中该末端锤头构造的尺寸系介于5m至10m。10.一种减少铜导线因研磨或蚀刻而损伤的方法,适用于镶崁式(damascene)内连导线制程,包括下列步骤:提供一半导体基底,其上方形成有所需电子元件;形成一介电层覆于该半导体基底上,并以适当蚀刻程序在该介电层中形成包含内连导线凹槽和接触窗的镶崁式开口,露出该电子元件的接触区;形成一阻障金属/铜晶种层(barrier metal/Cu seed layer),覆于该电子元件的接触区、该镶崁式开口、和该介电层露出的表面上;形成一铜金属层于该铜晶种层上,以填满该镶崁式开口;以及施行一化学性机械研磨(CMP)程序,以去除该铜金属层高出该介电层表面的部分,而留下在该镶崁式开口中的铜导线和接触拴构造;其特征在于,增加孤立(isolated)或靠近空旷区域(open field)之铜导线的宽度,以减少其因研磨处理或后续清洁溶液的蚀刻而受到损伤。11.如申请专利范围第10项所述减少铜导线因研磨或蚀刻而损伤的方法,其中该介电层系由双层材料所构成,包括一电浆加强化学气相沈积程序(PECVD)所沈积的氧化矽层,以及一伸芳基醚聚合物【poly(aryleneether)polymer】层。12.如申请专利范围第10项所述减少铜导线因研磨或蚀刻而损伤的方法,其中该阻障金属的材质系氮化钛(TiN)、钽金属(Ta)、或氮化钽(TaN)。13.如申请专利范围第10项所述减少铜导线因研磨或蚀刻而损伤的方法,其中所谓空旷区域系指该些铜导线之间的距离大于或等于200m者。图式简单说明:第一图A至第一图C为一系列剖面图,显示一习知之铜金属镶崁式内连导线的制造流程;第二图为一上视图,用以显示基底上孤立或靠近空旷区域的铜导线,在施行研磨处理后受到损伤的情形;第三图为一上视图,用以显示根据本发明改良方法的第一个实施例;第四图为一上视图,用以显示根据本发明改良方法的第二个实施例;以及第五图为一上视图,用以显示根据本发明改良方法的第三个实施例。 |
