| 主权项 |
1.一种正温度系数(PTC)元件,其特征为具有在结晶性聚合物成分中混练35-60vo1%导电性粉末充填材料之组成物成形体,与前述组成物成形体表面令导电体一部分露出地压黏和埋设之导电体,与前述组成物成形体之前述表面经由镀层处理所形成之电极,且使用TiC,WC,W2C,ZrC,VC,NbC,TaC,及Mo2C中之至少一种做为前述导电性粉末充填材料。2.如申请专利范围第1项所述之PTC元件,其中前述导电体中,含有Ni粉末,Al粉末,Cu粉末,Fe粉末,Ag粉末,或黑铅粉末。3.如申请专利范围第1项所述之PTC元件,其为于前述结晶性聚合物成分中,将前述导电性粉末充填材料混练45-60vo1%并且形成前述组成物成形体。4.一种正温度系数(PTC)元件之制造方法,其特征为具有于结晶性聚合物成分中,将TiC,WC,W2C,ZrC,VC,NbC,TaC,及Mo2C中之至少一种做为导电性粉末充填材料混练35-60vo1%取得组成物成形体之工程,与对该组成物成形体涂布含有导电体粉末之导电体浆料后,进行前述导电体粉末之压黏处理,令前述导电体粉末之一部分由前述组成物成形体之表面露出地埋设前述导电体粉末之工程,与对前述组成物成形体之前述表面进行镀层处理并形成电极之工程。5.如申请专利范围第4项所述之PTC元件之制造方法,其为使用Ni粉末,Al粉末,Cu粉末,Fe粉末,Ag粉末,或黑铅粉末做为前述导电体粉末。6.如申请专利范围第4项所述之PTC元件之制造方法,其为于前述结晶性聚合物成分中,将前述导电性粉末充填材料混练45-60vo1%并且形成前述组成物成形体。7.一种正温度系数(PTC)元件,其特征为具有于结晶性聚合物成分中,将TiC,WC,W2C,ZrC,VC,NbC,TaC,及Mo2C之至少一种之导电性粉末充填材料混练35-60vo1%之组成物成形体,与由前述组成物成形体之表面令导电体部分露出地压黏和埋设之导电体,与前述组成物成形体之前述表面以镀层处理所形成之电极,与前述镀层电极以外之部分所形成之水蒸气阻挡层。8.如申请专利范围第7项所述之PTC元件,其中前述结晶性聚合物成分为将至少一种热塑性聚合物混合之聚合物合金。9.一种正温度系数(PTC)元件之制造方法,其特征为具有于结晶性聚合物成分中,将TiC,WC,W2C,ZrC,VC,NbC,TaC,及Mo2C中之至少一种做为导电性粉末充填材料混练35-60vo1%取得组成物成形体之工程,与对该组成物成形体涂布含有导电体粉末之导电体浆料后,进行前述导电体粉末之压黏处理,令前述导电体粉末之一部分由前述组成物成形体之表面露出地埋设前述导电体粉末之工程,与对前述组成物成形体之前述表面进行镀层处理并形成电极之工程,与对前述镀层电极以外之部分施以水蒸气阻挡处理之工程。图式简单说明:第一图为示出本发明第一实施形态之PTC元件的截面图,第二图为用以说明本发明第一实施形态之PTC元件之制造方法之图,(a)为示出组成物成形体,(b)为示出由组成物成形体之表面令其一部分露出地将导电体予以压黏和埋设之状态,(c)为示出对组成物成形体进行镀层处理并且形成电极之状态的各截面图,第三图为示出本发明之一实施例之PTC元件的温度一电阻率特性之图,第四图为示出本发明之一实施例之PTC元件及比较例之PTC元件中重覆外加电流10A(50V)后之电阻率特性之图,第五图为示出本发明第二实施形态之PTC元件的部分截面图,第六图为用以说明本发明第二实施形态之PTC元件之制造方法之图,(a)为组成物成形体之截面图,(b)为由组成物成形体之表面令导电体一部分露出地进行压黏和埋设状态之截面图,(c)为对组成物成形体进行镀层处理并且形成电极之状态之截面图,(d)为示出水蒸气阻挡处理之概念图,(e)为施以水蒸气阻挡处理之PTC元件的部分截面图。 |
