发明名称 具有改良之热特性的低频石英振荡器装置
摘要 本发明与低频振荡器装置有关,包括一石芵谐振器(1),以及一电子维持电路,用以维持该石英谐振器的振动。按照本发明,石英谐振器被安排成按照本发明扭转模式振动,因此,具有由绕石英晶体之X晶轴旋转一决定角(θ)所定义之单一的切割角。特别是,此谐振器包括至少一个在笫二频率之非所要的基本弯曲振动模式,以及一个在笫二频率之所要的基本扭转振动模式,第一频率高于笫二频率。此外,电子维持电路是一反相器电路(2),它的互导值(gm)被决定,以使该装置无法按照非所要的基本弯曲振动模式振荡,但是按照该谐振器所要的某本扭转振动模式振荡。因此,按照本发明之振荡器装置的热特性较使用基本弯曲振动谐振器的知振荡器装置增进。
申请公布号 TW472438 申请公布日期 2002.01.11
申请号 TW089126935 申请日期 2000.12.15
申请人 伊塔设计制造公司;艾姆微体电子-马林公司 发明人 西尔维欧 达拉皮萨;宾查斯 诺瓦克
分类号 H03B5/36;H01L41/08 主分类号 H03B5/36
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种低频振荡器装置,包括一石英谐振器以及电 子的维持电路,用以维持该石英谐振器的振动,其 中: 该石英谐振器具有由绕该石英之晶轴X旋转一决定 角度所定义的单一切割角,因此,该谐振器包括至 少一个在第一频率的基本弯曲振动模式以及在高 于该第一频率之第二频率的基本扭转振动模式;以 及 该用以维持谐振器振动之该电子的维持电路是一 反相放大器电路,它的値被决定,以使该装置无法 按照该基本弯曲振动模式振荡,而是按照该谐振器 的该基本扭转振动模式振荡。2.如申请专利范围 第1项的振荡器装置,其中该谐振器也包括其它的 弯曲振动模式,称为第一弯曲谐振模式,位在高于 该基本扭转振动模式之频率的第三频率。3.如申 请专利范围第1项的振荡器装置,其中该电子的维 持电路包括一反相放大器,它包括一输入,连接有 第一负载电容器,以及一输出,连接有第二负载电 容器,该石英谐振器连接在该反相放大器的回授路 径中,此电子的维持电路也包括一回授电阻器,跨 连于该反相放大器的输入与输出之间。4.如申请 专利范围第3项的振荡器装置,其中该反相放大器 是一CMOS反相器,包括串联于电源电位与接地电位 间的第一p型电晶体及第二n型电晶体,它们的汲极 相互连接,构成反相器的输出,以及,它们的闸极相 互连接,并构成反相器的输入。5.如申请专利范围 第3项的振荡器装置,其中该回授电阻器的値被决 定,以实质地降低谐振器与基本弯曲振动模式有关 的最大互导。6.如申请专利范围第3项的振荡器装 置,其中该谐振器具有音叉的形状,且安排成该基 本扭转振动模式的频率实质上等于32,768kHz的倍数 。7.如申请专利范围第6项的振荡器装置,其中,它 还包括一分频电路,连接到电子式维持电路的输出 ,以便导出频率在32,768kHz的振荡信号。8.如申请专 利范围第6项的振荡器装置,其中该基本扭转振动 模式的频率实质等于393,216kHz。9.如申请专利范围 第7项的振荡器装置,其中该基本扭转振动模式的 频率实质等于393,216kHz,其中该分频电路是除12的电 路。10.如申请专利范围第1项的振荡器装置,其中 该谐振器及该电子式维持电路配置在同一外壳中 。图式简单说明: 第一图已在前文中说明,图中显示本发明之范围所 使用的扭转振动石英谐振器,具有音叉的形状,它 的臂朝向YZ结晶面; 第二图显示第一图之谐振器的特定实施例,它的3 个主振动模式之频率的演化是谐振器臂长度的函 数,这3个振动模式是基本的扭转振动模式;基本的 弯曲振动模式;以及第一弯曲谐波; 第三图a显示本发明之范围所使用的反相器振荡器 装置的概图; 第三图b显示第三图a包括一个CMOS反相器之振荡器 装置的实施例; 第四图显示石英谐振器的等效电路图; 第五图是本发明之范围所使用之谐振器的3个主振 动模式每一个的振荡条件限制gm,min及gm,max,它是电 子维持电路之回授电阻値RF的函数。
地址 瑞士