| 主权项 |
1.一种同步半导体储存装置,包括: 许多储存区块,其中布置成矩阵形式的许多储存单 元都已经依照每隔数行加以划分; 诸多字元线,各自激活每一储存区块中的同一列储 存单元; 诸多位元线,各自连接到每一储存区块中的同一行 储存单元之一端; 诸多虚拟接地线,各自连接到每一储存区块中的同 一行储存单元之另一端; 行选择器,在读取操作中,它会基于输入行位址而 选择任何一个储存区块; 感测放大器,它会保持并放大一种表示由行选择器 所选择之储存区块的参考线与位元线之间位准差 的信号; 预充电位准供应电路,它会将预充电位准供应到: 与由行选择器所选择之储存区块不同的诸多储存 区块之位元线和虚拟接地线;以及 分离电路,在读取操作中,藉由感测放大器来闩锁 表示参考线与位元线之间位准差的信号,它就会将 位元线和参考线与感测放大器分离,直到下一读取 操作为止,并且也会将虚拟接地线与接地电位分离 ,直到下一读取操作为止。2.根据申请专利范围第1 项之同步半导体储存装置,其中: 预充电位准供应电路会在备用阶段中,将所有位元 线和虚拟接地线保持在预充电位准处;并且当将与 被选择储存区块不同的诸多储存区块之位元线和 虚拟接地线的预充电位准加以保持时,该电路会在 读取操作中,停止供应预充电位准到:由行选择器 所选择之储存区块的诸多位元线和虚拟接地线。3 .根据申请专利范围第1或2项之同步半导体储存装 置,还包括: 正常预充电位准产生电路,它会形成打算供应到位 元线和虚拟接地线的正常预充电位准; 通电阶段预充电位准产生电路,它会在比正常预充 电位准产生电路之上升时间还慢的上升时间中,形 成打算供应到位元线和虚拟接地线的通电阶段预 充电位准;以及 预充电位准转换电路,它会在电源起动阶段中,将 由通电阶段预充电位准产生电路所形成的通电阶 段预充电位准供应到预充电位准供应电路,其后, 将预充电位准改变成由正常预充电位准产生电路 所形成的正常预充电位准,一察觉到经由预充电位 准供应电路而已经完成用通电阶段预充电位准来 预充电所有位元线和虚拟接地线,就会将正常预充 电位准供应到预充电位准供应电路。图式简单说 明: 第一图是:可作本发明之一同步半导体储存装置用 之同步MROM的主要部份之一方块图; 第二图是:同步MROM之一周边区段之一方块图; 第三图显示:同步MROM之通电阶段预充电位准产生 电路的主要部份之构造; 第四图是:同步MROM之预充电位准转换电路之一方 块图; 第五图是:同步MROM之正常预充电位准产生电路之 一电路图; 第六图是:同步MROM之差动放大器之一电路图; 第七图是:同步MROM之预充电位准转换多工器之一 电路图; 第八图是:同步MROM之行选择器和BREF位准供应电路 之一电路图; 第九图是:同步MROM之行选择器控制电路的一部份 之一电路图; 第十图是:同步MROM之第一阶段辨识电路之一电路 图; 第十一图是:同步MROM之位元线分离电路和感测放 大器的主要部份之一电路图; 第十二图A,第十二图B,第十二图C,第十二图D,第十 二图E,第十二图F,第十二图G第十二图H,第十二图I, 第十二图J,第十二图K,及第十二图L都是:同步MROM的 时序图;以及 第十三图A,第十三图B,第十三图C,第十三图D,第十 三图E,第十三图F,第十三图G,第十三图H,及第十三 图I都是:有关技艺之同步MROM的时序图。 |
