| 主权项 |
1.一种样品处理方法,包含以下步骤: 一第一步骤,在一蚀刻室中,于低于200℃之样品温 度,使用含有氯之气体电浆,蚀刻形成在一基体上 的叠合膜之样品,该叠合膜包括至少一层NiFe合金 或NiFeCo合金;及 一第二步骤,在50Pa或更大之压力下,于低于200℃之 样品温度,使用含有H2O或甲醇之气体电浆,移除沈 积在由该第一步骤暴露的该叠合膜之表面上之残 余氯化合物。2.如申请专利范围第1项之样品处理 方法,其中使用选自Cl2,BCl3,Ar与O2的其中之一或其 组合,而产生该气体电浆。3.如申请专利范围第1项 之样品处理方法,其中该叠合膜进一步包括至少以 下的其中之一,其在该处理室中欲藉气体电浆蚀刻 被处理: (A)一光阻层, (B)一铝土(Al2O3)层, (C)一矽氧化物层, (D)一Cu层, (D)一Ta层,及 (F)一Cr层。4.如申请专利范围第1项之样品处理方 法,其中该基体是一由Al2O3及TiC组成的烧结基体,且 一层的NiFe合金形成于该基体上,其在处理室中受 到气体电浆蚀刻。5.一种磁头之制造方法,此磁头 具有彼此相对的上磁极与下磁极,且具有包括该上 磁极与下磁极之多层的光阻处理,该方法包含以下 步骤: 形成一叠合膜,其包括一上光阻层,一包含SiO2或铝 土之硬单层,一下光阻层,及一包含NiFe合金或WiFeCo 合金之种子层; 使用该上光阻层作为其罩藉着电浆蚀刻而蚀刻该 硬罩层; 使用包括氯之气体藉着电浆蚀刻该下光阻层,且使 用该硬罩作为其罩以暴露在该深沟之底部中的该 种子层,而形成一深沟; 使用含有H2O或甲醇之气体电浆藉着电浆后处理,移 除沈积在被暴露的种子层之表面上之残余氯化合 物;然后 将NiFe合金嵌入该深沟中以与该种子层接触而提供 该上磁极。6.一种磁头之制造方法,此磁头具有彼 此相对的上磁极与下磁极,包括处理磁头的种子层 之方法,该方法包含以下步骤: 形成一叠合膜,其包括一主NiFe合金或NiFeCo合金组 成之种子层;一与该种子层紧密接触由NiFe合金制 成之上磁层;一与该种子层紧密接触由氧化物膜制 成之间隙层;及一与该间隙层紧密接触由NiFe合金 制成之遮蔽层; 使用上磁极作为其罩,以含有氯之气体电浆,电浆 蚀刻该种子层;然后 使用含有H2O或甲醇之气体电浆藉着电浆后处理,移 除残余氯化合物。7.一种磁头之制造方法,此磁头 具有彼此相对的上磁极与下磁极,包括形成该磁头 的间隙之方法,该方法包含以下步骤: 形成一叠合膜,其包括一由NiFe合金或NiFeCo合金组 成之种子层;一与该种子层连接由NiFe合金制成之 上磁层;一与该种子层紧密接触由氧化物膜制成之 间隙层;及一与该间隙层紧密接触由NiFe合金制成 之遮蔽层; 蚀刻处理种子层; 以含有氯气之气体藉着电浆处理,且使用上磁极作 为其罩,蚀刻间隙层;及随后 使用含有H2O或甲醇之气体电浆藉着电浆后处理,移 除残余氯化合物。8.一种磁头之制造方法,此磁头 具有彼此相对的上磁极与下磁极,包括修整磁头之 方法,该方法包含以下步骤: 形成一叠合膜,其包括一由NiFe合金制成之种子层; 一与该种子层连接由NiFe合金制成之上磁层;一与 该种子层紧密接触由氧化物膜制成之间隙层;及一 与该间隙层紧密接触由NiFe合金制成之遮蔽层; 蚀刻种子层; 蚀刻间隙层; 以含有氯之气体藉着电浆处理,使用上磁极作为一 罩,修整一蚀刻遮蔽层;及随后 使用含有H2O或甲醇之气体电浆藉着电浆后处理,移 除残余氯化合物。9.一种磁头之制造方法,此磁头 具有彼此相对的上磁极与下磁极,该方法包含以下 步骤: 形成一叠含膜,其包括一由NiFe合金制成之种子层; 一与该种子层连接由NiFe合金制成之上磁层;一与 该种子层紧密接触由氧化物膜制成之间隙层;及一 与该间隙层紧密接触由NiFe合金制成之遮蔽层; 使用该上磁极作为一罩,使该种子层,该间隙层及 该遮蔽层依序地受到电浆蚀刻;及 使用含有H2O或甲醇之气体电浆藉着电浆后处理,移 除沈积在暴露表面上之残余氯化合物。10.如申请 专利范围第9项之磁头之制造方法,其中该间隙层 是以含有氯或氟气之气体电浆而被蚀刻,且其中该 种子层与该遮蔽层是以含有氯与氩气之气体电浆 而被蚀刻。11.一种处理装置,用于蚀刻叠合在一基 体上之样品,该装置包含: 一蚀刻处理单元,其被供给气体且产生电浆,在蚀 刻室中于低于200℃之样品温度,使用含有氯气之气 体电浆,用于蚀刻包括形成在基体上的至少一层 NiFe合金或NiFeCo含金之叠合膜;及 一电浆后处理单元,在50Pa或以上之压力下,于低于 200℃之样品温度,藉着含有H2O或甲醇之气体电浆, 用于移除由于该蚀刻而暴露的该层NiFe合金之暴露 表面上沈积的残余氯化合物。12.如申请专利范围 第11项之处理装置,进一步包含: 一大气负载器; 一真空运输室,其中具有于一真空运输机械臂; 一卸载及负载锁定室,其连接于该大气负载器与该 真空运输室之间,且经此传送样品,其中该真空运 输室被连接至该蚀刻处理单元的一个蚀刻室;且 该大气负载器被连接至该电浆后处理单元之电浆 后处理室。13.如申请专利范围第11项之处理装置, 其中设有许多该蚀刻处理室。14.如申请专利范围 第11或12项之处理装置,其中设有许多该电浆后处 理室。图式简单说明: 第一图是本发明的一个实施例之方块图; 第二图是第一图中之本发明的实施例在真空的部 份之剖面图; 第三图是本发明之蚀刻处理装置的剖面; 第四图是本发明之电浆后处理装置之剖面; 第五图是本发明的一个实施例之部份的流程图; 第六图是本发明之磁头的图形; 第七图是依据本发明藉由三层光阻蚀刻所形成的 上磁极之图形; 第八图是依据本发明藉由垂直处理所形成之NiFe制 成的种子层,Al2O3制成的间隙层,及NiFe制成的遮蔽 下层之图形; 第九图是依据本发明之电浆后处理所得到的效果 之图形;及 第十图比较本发明与习知技术之间的优点。 |
