| 主权项 |
1.一种在基板上以化学机械研磨来研磨金属层以 决定研磨终点之方法,该终点具有预定图案之高强 度反射,该方法至少包含: 将基板表面和具有视窗之研磨垫互相接触; 让基板和研磨垫之间产生相对的运动; 引导光束通过该视窗,该研磨垫相对于该基板之运 动使得该光束移动之路径为经过该基板; 侦测光束从该金属层之反射; 产生结合该光束反射之反射资料; 将该反射资料切割成多个径向范围;及 在该多个径向范围中由该反射资料识别预定图案 以建立该研磨终点。2.如申请专利范围第1项所述 之方法,更至少包含在该研磨终点被识别之后停止 化学机械研磨。3.如申请专利范围第1项所述之方 法,更至少包含在媒介上储存该反射资料以做为后 续之分析。4.如申请专利范围第3项所述之方法,更 至少包含以即时的方式处理该反射资料。5.如申 请专利范围第3项所述之方法,更至少包含以离线 方式处理该反射资料。6.如申请专利范围第1项所 述之方法,其中上述之识别步骤中更至少包含将该 反射资料和预定之启始値互相比较。7.如申请专 利范围第1项所述之方法,其中上述之识别步骤中 更至少包含决定是否该反射资料系为往下的趋势 。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之 识别步骤中更至少包含决定是否该反射资料系为 往上的趋势。9.如申请专利范围第1项所述之方法, 其中上述之识别步骤中更至少包含决定是否该反 射资料系为平坦的趋势。10.如申请专利范围第1项 所述之方法,其中上述之侦测步骤测量反射比相当 于经过该基板之路径的取样区,该方法包括: 决定每个取样区之径向位置; 决定携带头之位置,其中系由该携带头之扫掠轮廓 ;及 将该反射比测量値依照该径向位置分成多个径向 范围。11.一种结合化学机械研磨来研磨金属层以 决定研磨终点的方法,该研磨终点具有反射光强度 之预定图案,该方法至少包含: 引导光束通过研磨垫之视窗,且相对于该基板移动 该研磨垫使得该光束移动之路径为经过该基板; 侦测光束从该金属层之反射; 产生结合该光束反射之反射资料; 将该反射资料切割成多个径向范围;及 在该多个径向范围中由该反射资料识别预定图案 以建立该研磨终点。12.如申请专利范围第11项所 述之方法,更至少包含在该研磨终点被识别之后停 止化学机械研磨。13.如申请专利范围第11项所述 之方法,更至少包含在媒介上储存该反射资料以做 为后续之分析。14.如申请专利范围第11项所述之 方法,其中上述之识别步骤中更至少包含将该反射 资料和预定之启始値互相比较。15.如申请专利范 围第11项所述之方法,其中上述之识别步骤中更至 少包含决定该反射资料是否具有往下之趋势、往 上之趋势或者平坦之趋势。16.一种研磨基板之金 属层的设备,至少包含: 一携带头以承接该基板; 一研磨垫加以调节而与该基板之表面互相接触,该 研磨垫具有一穿透的视窗; 一马达耦合到该研磨垫以产生该基板和该研磨垫 之间的相对运动; 一光源引导光束通过该视窗,该研磨垫相对于该基 板之运动使得该光束移动之路径经过该基板; 一感测器光学性耦合到该光源上以便侦测由该基 板之光束反射,该感测器产生了结合该光束反射之 反射资料; 一电子容器耦合到该感测器以便将该反射资料分 成多个径向范围;及 一图案辨识器耦合到该感测器和该容器以便比较 该预定图案和该反射资料而识别出研磨终点。17. 如申请专利范围第16项所述之设备,更至少包含一 研磨控制器耦合到该图案辨识器,该研磨控制器在 该研磨终点被识别之后停止化学机械研磨。18.如 申请专利范围第16项所述之设备,其中上述之反射 资料系储存在媒介上以作为后续之分析。19.如申 请专利范围第16项所述之设备,其中上述之图案辨 识器将比较该反射资料和预定之启始値。20.如申 请专利范围第16项所述之设备,其中上述之图案识 器将决定是否该反射资料具有往下之趋势、往上 之趋势或者平坦之趋势。21.一种决定研磨参数之 方法,至少包含: 将基板之表面和一具有视窗之研磨垫互相接触; 使该基板和该研磨垫之间产生相对运动; 导引光束经过该视窗,该研磨垫相对于该基板之运 动使得该光束移动之路径经过该基板; 侦测该基板中光束自镀层之反射; 产生结合该光束反射之反射资料; 经由该光束经过该基板之扫描而显示该反射资料; 及 选择研磨参数以提供该基板均匀的研磨,其中该研 磨参数系以该显示之反射资料为基础。22.一种决 定制程均匀性的方法至少包含: 侦测光束之反射,其中系在研磨第一基板之镀层时 为之; 侦测光束之反射,其中系在研磨第二基板之镀层时 为之; 产生结合该光束射之反射资料; 经由该光束经过该第一基板之第一次扫描而显示 该反射资料; 经由该光束经过该第二基板之第二次扫描而显示 该反射资料;及 比较该第一次扫描之该反射资料和该第二次扫描 之该反射资料以决定制程均匀性。23.如申请专利 范围第22项所述之方法,更至少包含在研磨该第一 和第二基板之间改变研磨消耗品。图式简单说明: 第一图所示为化学机械研磨设备的爆炸透视图; 第二图所示为化学机械研磨设备包括了光学干涉 仪的侧视图; 第三图所示为处理中之基板的简化截面示意图,其 显示了电射光射入基板及反射的图示; 第四图所示为任意强度单位(a.u.)测得之反射比轨 迹; 第五图A-第五图E为简化之平面视图并例举了研磨 垫做平面转动时视窗位置; 第六图所示为决定金属层在CMP时研磨终点之方法 的流程图; 第七图A所示为雷射通过携带头之下的路径图示; 第七图B所示为携带头下面的视窗单一扫掠之后所 产生的反射轨迹之假设部分; 第八图所例举的为从雷射路径之取样区的径向位 置; 第九图A为决定取样区之径向位置之方法的流程图 ; 第九图B为雷射光束通过基板之前导和延续边缘的 时间作为平台之转动数目函数的示意图; 第十图所例举的为取样区之径向位置计算示意图; 第十一图所示为储存强度测量値之资料结构的图 示; 第十二图所示为不同时间所取得之数个反射轨迹 重叠的示意图; 第十三图A-第十三图H所示为整个研磨周期中金属 层之反射强度和基板之中心距离函数的图示。 |
