| 主权项 |
1.一种半导体积体电路,包括: 切换装置; 组合电路,和该切换装置连接: 顺序电路,包含第1场效电晶体;及 控制装置,使该第1场效电晶体之临限电压可变。2. 如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中顺 序电路所含第1场效电晶体具有反向闸极,控制装 置经由该反向闸极控制该第1场效电晶体之临限电 压可变。3.如申请专利范围第2项之半导体积体电 路,其中控制装置包含正电压产生器和负电压产生 器。4.如申请专利范围第1.2或3项之半导体积体电 路,其中组合电路包含第2场效电晶体,而且切换装 置包含第3场效电晶体,该第3场效电晶体之临限电 压之绝对値比该第2场效电晶体之临限电压之绝对 値高。5.如申请专利范围第1.2或3项之半导体积体 电路,其中于组合电路包含第2场效电晶体,切换装 置包含至少2个第3场效电晶体,其中一个电晶体之 源极和电源电压连接而且另一个电晶体之源极和 接地电位连接之半导体积体电路;其中该第2场效 电晶体之临限电压之绝对値和该第3场效电晶体之 临限电压之绝对値约相等,而且在该第3场效电晶 体处于不导通状态时在电源电压侧之电晶体和接 地侧之电晶体将闸极源极间之电位逆向偏压。6. 如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中组 合电路由多个第1电路方块构成,对各第1电路方块 个别连接切换装置,顺序电路也由多个第2电路方 块构成,个别连接使各第2电路方块所含第1场效电 晶体之临限电压可变之控制装置。7.如申请专利 范围第6项之半导体积体电路,其中切换装置包括 产生比电源电压高之电压之第1升压器、产生比接 地电位低之电压之第1降压器、和该第1升压器连 接之反相装置及和该第1降压器连接之非反相装置 。8.如申请专利范围第3项之半导体积体电路,其中 控制装置包括和正电压产生器连接之第2升压器及 和负电压产生器连接之第2降压器,该正电压产生 器和负电压产生器由多工器电路构成。9.如申请 专利范围第8项之半导体积体电路,其中控制装置 所含的第2升压器及第2降压器和,切换装置所含的 第1升压器及第1降压器不同。10.一种半导体积体 电路,包括: 逻辑电路,由组合电路和顺序电路构成;及 积体电路,具有升压器和降压器; 其特征在于: 使用该积体电路之升压器和降压器驱动组合电路 之切换装置,而且经由顺序电路所含之具有反向闸 极之场效电晶体之反向闸极驱动进行控制的控制 装置。11.如申请专利范围第10项之半导体积体电 路,其中该具有升压器和降压器之积体电路由动态 随机存取记忆体(DRAM)构成。12.一种半导体积体电 路,包括: 组合电路; 电压线,供给固定电压; 切换装置,连接于该电压线及该组合电路间; 顺序电路,包含第1场效电晶体;以及 控制装置,选择性地施加第1电压或第2电压至该顺 序电路所含第1场效电晶体之反向闸极,以控制该 第1场效电晶体之临限电压可变,其中,该第1电压是 该固定电压,该第2电压则是由该固定电压偏压,使 该第1场效电晶体之临限电压之绝对値越来越大的 电压。图式简单说明: 第一图系表示本发明之实施例1之半导体积体电路 之电路构造图。 第二图系表示本发明之实施例2之半导体积体电路 之电路构造图。 第三图系表示本发明之实施例3之半导经积体电路 之电路构造图。 第四图系表示本发明之实施例4之半导体积体电路 之电路构造图。 第五图系表示本发明之实施例5之半导体积体电路 之电路构造图。 第六图系表示本发明之实施例6之半导体积体电路 之电路构造图。 第七图系表示习知之利用MT-CMOS之低电压动作电路 之电路构造图。 第八图系表示习知之闩锁电路之电路构造图。 |
