Eine Lumineszenzdiode auf der Basis von GaA1As weist eine Fensterschicht (5) mit reduzierter Dicke auf und ist durchgehend mit Si oder Sn dotiert. Die Nettokonzentration der Dotierung liegt unterhalb von 1 x 10<18> cm<-3>. Durch diese Massnahme wird die Degradation der Lumineszenzdiode (1) verringert.
申请公布号
WO0203476(A1)
申请公布日期
2002.01.10
申请号
WO2001DE01926
申请日期
2001.05.18
申请人
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO. OHG;GROENNINGER, GUENTHER;HEIDBORN, PETER
