发明名称 A SPIN DEPENDENT CONDUCTION DEVICE
摘要 <p>본 발명은 스핀 의존 전도 소자에 관한 것으로서, 자기 장치의 강자성층 내에 불연속 에너지 준위가 안내되고, 복수의 터널 접합을 통해 터널 전류가 흐르며, 이 터널 접합은 제 1 및 제 2 전극 사이에 배치되며, 상기 제 1 강자성층은 상기 두 터널 접합 사이에 배치되고, 상기 터널 전류의 변동은 상기 강자성층 및 다른 강자성층의 자화 방향간의 관계에 따라 달라지며, 터널 전류는 평행한 관계 및 반평행 관계 사이에서 변화하는 것을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR100320008(B1) 申请公布日期 2002.01.10
申请号 KR19990005511 申请日期 1999.02.19
申请人 null, null 发明人 이노마타고이치로;사이토요시아키;기시다츠야
分类号 G01R33/09;G11B5/012;G11B5/33;G11B5/39;G11C11/16;H01F10/32;H01L27/115;H01L29/66;H01L43/08 主分类号 G01R33/09
代理机构 代理人
主权项
地址