| 摘要 |
<p>Lumineszenzdiodenchip (1), bei dem über einem Substrat (2) eine Epitaxieschichtenfolge (3) mit einer strahlungsemittierenden aktiven Struktur (4) auf der Basis von InGaN angeordnet ist. Zwischen dem Substrat (2) und der aktiven Struktur (4) ist eine Pufferschicht (20) vorgesehen. Das Material bzw. die Materialien der Pufferschicht (20) sind derart gewählt, daß deren Aufwachsoberfläche (6) für das Aufwachsen der aktiven Struktur (4) bei deren Wachstumstemperatur/en unverspannt oder leicht zugverspannt ist. Die aktive Struktur (4) weist in Bezug auf die Aufwachsebene lateral nebeneinander angeordnete In-reiche Zonen (5) auf, in denen der In-Gehalt höher ist als in übrigen Bereiche der aktiven Struktur (4). Ein bevorzugtes Verfahren zum Herstellen des Chips ist angegeben.</p> |
